Alla kategorier

IGBT-modul 1200V

IGBT-modul 1200V

Hemsida /  Produkter  /  IGBT-modul /  IGBT-modul 1200V

GD400HFT120C2SN,IGBT Modul,STARPOWER

1200V 400A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD400HFT120C2SN
  • Introduktion
  • Översikt
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul , producerad av STARPOWER. 1200V 400A.

Funktioner

  • Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
  • 10 μs kortslutningsförmåga
  • VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
  • Maximal junctionstemperatur 175℃
  • Låg induktanshus
  • Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
  • Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Typisk Användning

  • Inverterare för motordrivning
  • Förstärkare för AC- och DC-servoanström
  • Oavbrutbar strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg t C =25 om inte i annat fall Noterat

Symbol

Beskrivning

GD400HFT120C2SN

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ t C =25

@ T C = 100

650

400

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

800

A

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

400

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

800

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j =1 75

2542

W

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Montering Vridmoment

Skruv för kraftterminalen:M6

Monteringsskruv:M6

2,5 till 5.0

3,0 till 5.0

N.M

Vikt

Vikt av Modul

300

G

Elektrisk Egenskaper av IGBT t C =25 om inte i annat fall Noterat

Avslutade egenskaper

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR )CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25

1200

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25

400

NA

Om egenskaper

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 16 mA, V ce =V Generella , t j =25

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 400 A,V Generella =15V, t j =25

1.70

2.15

V

jag C = 400 A,V Generella =15V, t j =125

2.00

jag C = 400 A,V Generella =15V, t j = 150

2.10

Omställning av egenskaper

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, r G = 1,8Ω,

V Generella =± 15 V, t j =25

250

N

t r

Uppgångstid

39

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

500

N

t F

Hösttid

100

N

E

Tänd Växling

Förlust

17.0

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

42.0

MJ

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, r G = 1,8Ω,

V Generella =± 15 V, t j = 125

299

N

t r

Uppgångstid

46

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

605

N

t F

Hösttid

155

N

E

Tänd Växling

Förlust

25.1

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

61.9

MJ

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, r G = 1,8Ω,

V Generella =± 15 V, t j = 150

320

N

t r

Uppgångstid

52

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

625

N

t F

Hösttid

180

N

E

Tänd Växling

Förlust

30.5

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

66.8

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

28.8

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

1.51

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

1.31

NF

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15 V,

t j =125 °C, V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

1600

A

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

1.9

Ω

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC+EE

Modulled

Motstånd

Terminal till chip

0.35

Elektrisk Egenskaper av Diod t C =25 om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F = 400A,

V Generella =0V

t j =25

1.65

2.15

V

t j =125

1.65

t j = 150

1.65

Q r

Återkrävt avgift

jag F = 400A,

V r =600 V,

r G = 1,8Ω,

V Generella =-15V

t j =25

44

μC

t j =125

78

t j = 150

90

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

t j =25

490

A

t j =125

555

t j = 150

565

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25

19.0

MJ

t j =125

35.1

t j = 150

38.8

Termiska egenskaper ics

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

r θ JC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

0.059

K/W

r θ JC

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.106

K/W

r θ CS

Fält-till-sänk (användning av ledande fett) Ljuger)

0.035

K/W

Översikt

image(c3756b8d25).png

Få ett gratis offert

Vår representant kontaktar dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

RELATERAD PRODUKT

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett offert

Få ett gratis offert

Vår representant kontaktar dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000