IGBT-modul 1700V

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

659

400

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

800

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

2727

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1700

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

400

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

800

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

O C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 400 A,V Generella =15V, t j =25 O C

2.00

2.45

V

jag C = 400 A,V Generella =15V, t j =125 O C

2.40

jag C = 400 A,V Generella =15V, t j = 150 O C

2.50

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 16 mA, V ce =V Generella , T j =25 O C

5.4

6.2

7.4

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

0.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

27.0

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.92

NF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

3.08

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C = 400A, r G = 2,2Ω,V Generella =± 15 V, t j =25 O C

367

N

t r

Uppgångstid

112

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

523

N

t F

Hösttid

236

N

E på

Tänd Växling

Förlust

42.5

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

76.7

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C = 400A, r G = 2,2Ω,V Generella =± 15 V, t j = 125O C

375

N

t r

Uppgångstid

116

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

599

N

t F

Hösttid

458

N

E på

Tänd Växling

Förlust

58.7

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

109

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C = 400A, r G = 2,2Ω,V Generella =± 15 V, t j = 150O C

377

N

t r

Uppgångstid

120

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

611

N

t F

Hösttid

560

N

E på

Tänd Växling

Förlust

73.0

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

118

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C,V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F = 400 A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

jag F = 400 A,V Generella =0V,T j = 125O C

1.90

jag F = 400 A,V Generella =0V,T j = 150O C

1.95

Q r

Återkrävt avgift

V CC = 900 V,I F = 400A,

-di/dt=2900A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15 V, t j =25 O C

101

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

488

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

71.1

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V CC = 900 V,I F = 400A,

-di/dt=2900A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15 V, t j = 125O C

150

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

562

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

106

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V CC = 900 V,I F = 400A,

-di/dt=2900A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15 V, t j = 150O C

160

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

575

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

112

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC+EE

Modulledningsresistans nce, terminal till chip

0.35

mΩ

r TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.055

0.105

K/W

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Kapsling-till-kylfläns (pe r diod)

Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.107

0.204

0.035

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G