IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

GD400HFL120C2SN

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

± 20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

650

A

400

jag CM(1)

Pulsad samlarström t P =1 ms

800

A

jag F

Diod kontinuerlig framström @ T C =80 ℃

400

A

jag FM

Diod maximal framström nt

800

A

P D

Maximal effekt t j = 150 ℃

2450

W

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

150

℃

t STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

℃

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montering

Effektterminal Skruv: M6

2,5 till 5.0

N.M

Vridmoment

Montering Skruv: M6

3,0 till 5.0

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR) CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25 ℃

1200

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce =V CES ,V Generella =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren

Nuvarande

V Generella =V GES ,V ce =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V GE(th)

Gränssnitt för gate-emitterare

Spänning

jag C =16mA,V ce =V Generella , t j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 400 A,V Generella =15V, t j =25 ℃

1.90

2.35

V

jag C = 400 A,V Generella =15V, t j =125 ℃

2.10

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t d(on)

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, r G = 4,1Ω,V Generella = ± 15 V, t j =25 ℃

910

N

t r

Uppgångstid

200

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

848

N

t F

Hösttid

110

N

E på

Tänd Växling

Förlust

33.5

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

39.5

MJ

t d(on)

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 400A, r G = 4,1Ω,V Generella = ± 15 V, t j =125 ℃

1047

N

t r

Uppgångstid

201

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

998

N

t F

Hösttid

150

N

E på

Tänd Växling

Förlust

46.0

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

57.6

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

29.7

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

2.08

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

1.36

NF

jag SC

SK-uppgifter

t s C ≤ 10μs,V Generella =15V,

t j =25 ℃ ,V CC =600 V,

V CEM ≤ 1200V

1800

A

r Gint

Inre portmotstånd

0.5

Åh

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC + EE ’

Modulledningsresistans nce, Terminal till chip

t C =25 ℃

0.35

M Ω

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =400A

t j =25 ℃

1.80

2.40

V

t j =125 ℃

1.85

Q r

Återkrävt avgift

jag F = 400A,

V r =600 V,

en bredd på minst 10 mm, V Generella =-15V

t j =25 ℃

26

μC

t j =125 ℃

49

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

t j =25 ℃

212

A

t j =125 ℃

281

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25 ℃

13.4

MJ

t j =125 ℃

23.8

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

r θJC

Tvättpunkt -till -Fall (perIGBT )

0.051

K/W

r θJC

Junction-to-Case (per DIODE)

0.072

K/W

r θCS

Fall-till-sänka (Ledande fett tillämpad)

0.035

K/W

Vikt

Vikt av Modul

300

G