IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

483

300

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

600

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T = 175 O C

1612

W

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

300

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

600

A

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

650

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C =60 O C

372

300

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

600

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T = 175 O C

920

W

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

650

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

300

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

600

A

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =300A,V Generella =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

jag C =300A,V Generella =15V, t j =125 O C

1.95

jag C =300A,V Generella =15V, t j = 150 O C

2.00

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 7,50 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

2.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

21.0

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

1.20

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

2.60

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =300A, r G = 1.3Ω,

V Generella =± 15 V, t j =25 O C

182

N

t r

Uppgångstid

54

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

464

N

t F

Hösttid

72

N

E på

Tänd Växling

Förlust

10.6

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

25.8

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =300A, r G = 1.3Ω,

V Generella =± 15 V, t j = 125O C

193

N

t r

Uppgångstid

54

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

577

N

t F

Hösttid

113

N

E på

Tänd Växling

Förlust

16.8

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

38.6

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =300A, r G = 1.3Ω,

V Generella =± 15 V, t j = 150O C

203

N

t r

Uppgångstid

54

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

618

N

t F

Hösttid

124

N

E på

Tänd Växling

Förlust

18.5

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

43.3

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

1200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag C =300A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

jag C =300A,V Generella =0V,T j =125 O C

1.65

jag C =300A,V Generella =0V,T j = 150 O C

1.65

Q r

Återställd

laddning

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=6050A/μs,V Generella = 15 V, t j =25 O C

29

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

318

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

18.1

MJ

Q r

Återställd

laddning

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=6050A/μs,V Generella = 15 V, t j = 125O C

55

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

371

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

28.0

MJ

Q r

Återställd

laddning

V CC =600V,I F =300A,

-di/dt=6050A/μs,V Generella = 15 V, t j = 150O C

64

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

390

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

32.8

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =300A,V Generella =15V, t j =25 O C

1.45

1.90

V

jag C =300A,V Generella =15V, t j =125 O C

1.60

jag C =300A,V Generella =15V, t j = 150 O C

1.70

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 4,8 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C

5.1

5.8

6.5

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

1.0

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

17.1

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.51

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ﹍+15V

2.88

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =300V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V Generella =± 15 V, t j =25 O C

88

N

t r

Uppgångstid

40

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

294

N

t F

Hösttid

43

N

E på

Tänd Växling

Förlust

1.34

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

8.60

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =300V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V Generella =± 15 V, t j =125 O C

96

N

t r

Uppgångstid

48

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

312

N

t F

Hösttid

60

N

E på

Tänd Växling

Förlust

1.86

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

10.8

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =300V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V Generella =± 15 V, t j = 150 O C

104

N

t r

Uppgångstid

48

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

318

N

t F

Hösttid

60

N

E på

Tänd Växling

Förlust

1.98

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

11.3

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤6μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C,V CC =360V, V CEM ≤ 650 V

1500

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =300A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.55

1.95

V

jag F =300A,V Generella =0V,T j =125 O C

1.50

jag F =300A,V Generella =0V,T j = 150 O C

1.45

Q r

Återställd

laddning

V r =300V,I F =300A,

-di/dt=7150A/μs,V Generella =-15V t j =25 O C

14.3

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

209

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

3.74

MJ

Q r

Återställd

laddning

V r =300V,I F =300A,

-di/dt=7150A/μs,V Generella =-15V t j =125 O C

26.4

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

259

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

6.82

MJ

Q r

Återställd

laddning

V r =300V,I F =300A,

-di/dt=7150A/μs,V Generella =-15V t j = 150 O C

30.8

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

275

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

7.70

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

r TJC

Junction-to-Case (per T1, T2 IGBT)

Junction-to-Case (per D1,D2 Diod de)

Junction-to-Case (per T3, T4 IGBT)

Junction-to-Case (per D3,D4 Diod de)

0.093

0.158

0.163

0.299

K/W

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per T1,T2 IGBT)

Case-to-Heatsink (per D1,D2 DIODE)

Hylsa till värmesänk (per T3,T4 IGBT)

Case-to-Heatsink (per D3,D4 DIODE)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.050

0.083

0.087

0.160

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

340

G