IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

540

300

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

600

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T = 175 O C

1948

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

300

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

600

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

650

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C =80 O C

415

300

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

600

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T = 175 O C

1086

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

650

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

300

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

600

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =300A,V Generella =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

jag C =300A,V Generella =15V, t j =125 O C

2.00

jag C =300A,V Generella =15V, t j = 150 O C

2.10

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 12.0mA,V ce =V Generella , T j =25 O C

5.0

5.8

6.5

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

100

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

2.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

21.5

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.98

NF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

2.80

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V Generella =± 15 V, t j =25 O C

250

N

t r

Uppgångstid

90

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

550

N

t F

Hösttid

130

N

E på

Tänd Växling

Förlust

17.0

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

29.5

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V Generella =± 15 V, t j = 125O C

300

N

t r

Uppgångstid

100

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

650

N

t F

Hösttid

180

N

E på

Tänd Växling

Förlust

25.0

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

44.0

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V Generella =± 15 V, t j = 150O C

320

N

t r

Uppgångstid

100

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

680

N

t F

Hösttid

190

N

E på

Tänd Växling

Förlust

27.5

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

48.5

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

1200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =300A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

jag F =300A,V Generella =0V,T j = 125O C

1.65

jag F =300A,V Generella =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Återställd

laddning

V r =600V,I F =300A,

-di/dt=6000A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =25 O C

30.0

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

210

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

14.0

MJ

Q r

Återställd

laddning

V r =600V,I F =300A,

-di/dt=6000A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 125O C

56.0

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

270

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

26.0

MJ

Q r

Återställd

laddning

V r =600V,I F =300A,

-di/dt=6000A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 150O C

62.0

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

290

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

28.5

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =300A,V Generella =15V, t j =25 O C

1.45

1.90

V

jag C =300A,V Generella =15V, t j =125 O C

1.60

jag C =300A,V Generella =15V, t j = 150 O C

1.70

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 4,8 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C

5.1

5.8

6.4

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

1.0

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

18.5

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.55

NF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15V ...+15V

3.22

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =300V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V Generella =± 15 V, t j =25 O C

110

N

t r

Uppgångstid

50

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

490

N

t F

Hösttid

50

N

E på

Tänd Växling

Förlust

2.13

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

9.83

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =300V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V Generella =± 15 V, t j =125 O C

120

N

t r

Uppgångstid

60

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

520

N

t F

Hösttid

70

N

E på

Tänd Växling

Förlust

3.10

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

12.0

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =300V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V Generella =± 15 V, t j = 150 O C

130

N

t r

Uppgångstid

60

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

530

N

t F

Hösttid

70

N

E på

Tänd Växling

Förlust

3.30

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

12.5

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤6μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C,V CC =360V, V CEM ≤ 650 V

1500

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =300A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.55

2.00

V

jag F =300A,V Generella =0V,T j = 125O C

1.50

jag F =300A,V Generella =0V,T j = 150O C

1.45

Q r

Återställd

laddning

V r =300V,I F =300A,

-di/dt=6500A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =25 O C

13.0

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

190

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

3.40

MJ

Q r

Återställd

laddning

V r =300V,I F =300A,

-di/dt=6500A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 125O C

24.0

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

235

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

6.20

MJ

Q r

Återställd

laddning

V r =300V,I F =300A,

-di/dt=6500A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 150O C

28.0

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

250

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

7.00

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

r TJC

Junction-to-Case (per T1, T2 IGBT)

Junction-to-Case (per D1,D2 Diod de)

Junction-to-Case (per T3, T4 IGBT)

Junction-to-Case (per D3,D4 Diod de)

0.077

0.141

0.138

0.237

K/W

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per T1,T2 IGBT)

Case-to-Heatsink (per D1,D2 DIODE)

Hylsa till värmesänk (per T3,T4 IGBT)

Case-to-Heatsink (per D3,D4 DIODE)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.136

0.249

0.244

0.419

0.028

K/W

M

Monteringsmoment Skruv M6

Terminalanslutningsmoment Skruv M5

3.0

2.5

6.0

5.0

N.M