Alla kategorier

IGBT-modul 1200V

IGBT-modul 1200V

Hemsida /  Produkter  /  IGBT-modul /  IGBT-modul 1200V

GD300TLT120C2S, IGBT-modul, 3-nivå i ett paket, STARPOWER

IGBT-modul, 1200V 300A;3-nivå i ett paket

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD300TLT120C2S
  • Introduktion
  • Översikt
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul , 1200V 300A, 3-nivå i ett paket, som produceras av StarPower.

Funktioner

  • Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
  • 10 μs kortslutningsförmåga
  • VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
  • Maximal junctionstemperatur 175℃
  • Låg induktanshus
  • Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
  • Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Typisk Användning

  • Solenergi
  • UPS

ti ,T2 IGBT t C =25 om inte i annat fall Noterat

Maximal nominellt värde

Symbol

Beskrivning

GD300TLT120C2S

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning @ T j =25

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning @ T j =25

±20

V

jag C

Samlarström @ t C =25

@ T C = 100

480

300

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

600

A

P för

Total effektförlust @ T j = 175

1630

W

Avslutade egenskaper

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR )CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25

1200

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25

400

NA

Om egenskaper

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 12.0mA,V ce =V Generella , t j =25

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =300A,V Generella =15V, t j =25

1.70

2.15

V

jag C =300A,V Generella =15V, t j =125

2.00

Omställning av egenskaper

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V Generella =± 15 V, t j =25

250

N

t r

Uppgångstid

90

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

550

N

t F

Hösttid

130

N

E

Tänd Växling Förlust

16.9

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

29.4

MJ

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =300A, r G =2.4Ω,

V Generella =± 15 V, t j =125

300

N

t r

Uppgångstid

100

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

650

N

t F

Hösttid

180

N

E

Tänd Växling Förlust

25.1

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

43.9

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

21.5

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.98

NF

Q G

Portavgift

V CC =600V,I C =300A, V Generella =-15 +15V

2.8

nC

r Gint

Inre portmotstånd

2.5

Ω

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15 V,

t j =125 ℃,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

1200

A

ti ,T2 Diod t C =25 om inte i annat fall Noterat

Maximal nominellt värde

Symbol

Beskrivning

GD300TLT120C2S

Enheter

V RRM

Repetitiv topp omvänd spänning @ T j =25

1200

V

jag F

Samma ström framåt

300

A

jag Från och med den 1 januari

Repetitiv topp framåtström t P =1 ms

600

A

Kännetecken Värden

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =300A,

V Generella =0V

t j =25

1.65

2.15

V

t j =125

1.65

Q r

Återkrävt avgift

jag F =300A,

V r =600 V,

r G =2.4Ω,

V Generella =-15V

t j =25

30

μC

t j =125

55

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

t j =25

210

A

t j =125

270

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25

13.9

MJ

t j =125

26.1

T3,T4 IGBT t C =25 om inte i annat fall Noterat

Maximal nominellt värde

Symbol

Beskrivning

GD300TLT120C2S

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning @ T j =25

650

V

V GES

Gate-emitter spänning @ T j =25

±20

V

jag C

Samlarström @ t C =25

@ T C = 100

480

300

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

600

A

P för

Total effektförlust @ T j = 175

1071

W

Avslutade egenskaper

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR )CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25

650

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25

400

NA

Om egenskaper

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =13,2 mA ,V ce = V Generella , t j =25

5.5

7.7

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =300A,V Generella =15V, t j =25

1.50

1.95

V

jag C =300A,V Generella =15V, t j = 175

1.80

Omställning av egenskaper

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =300V,I C =300A, r G = 2,5Ω,

V Generella =± 15 V, t j =25

125

N

t r

Uppgångstid

320

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

270

N

t F

Hösttid

135

N

E

Tänd Växling Förlust

3.20

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

12.2

MJ

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =300V,I C =300A, r G = 2,5Ω,

V Generella =± 15 V, t j =125

110

N

t r

Uppgångstid

320

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

320

N

t F

Hösttid

145

N

E

Tänd Växling Förlust

3.50

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

12.8

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =30V, f=1MHz,

V Generella =0V

25.9

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.68

NF

Q G

Portavgift

V CC =300V,I C =300A, V Generella =15V

590

nC

r Gint

Inre portmotstånd

1.0

Ω

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤6μs, V Generella =15V,

t j =125 ℃,V CC =360V, V CEM ≤ 650 V

3600

A

T3,T4 Diod t C =25 om inte i annat fall Noterat

Maximal nominellt värde

Symbol

Beskrivning

GD300TLT120C2S

Enheter

V RRM

Repetitiv topp omvänd spänning @ T j =25

650

V

jag F

Samma ström framåt

300

A

jag Från och med den 1 januari

Repetitiv topp framåtström t P =1 ms

600

A

Kännetecken Värden

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =300A,

V Generella =0V

t j =25

1.40

1.80

V

t j =125

1.40

Q r

Återkrävt avgift

jag F =300A,

V r = 300 V,

r G =4.7Ω,

V Generella =-15V

t j =25

12.0

μC

t j =125

21.2

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

t j =25

153

A

t j =125

185

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25

2.65

MJ

t j =125

5.12

IGBT-modul

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

4000

V

r θ JC

Junction-to-Case (per T1, T2 IGBT)

Sammanslagning till fall (per T1,T2) DIODE)

Junction-to-Case (per T3, T4 IGBT)

Sammanslagning till förpackning (per T3,T4) DIODE)

0.092

0.158

0.137

0.236

K/W

r θ CS

Fält-till-sänk (användning av ledande fett) Ljuger)

0.035

K/W

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40

150

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40

125

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

340

G

Översikt

image(a7f8d9193b).png

Få ett gratis offert

Vår representant kontaktar dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

RELATERAD PRODUKT

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett offert

Få ett gratis offert

Vår representant kontaktar dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000