IGBT-modul, GD1600SGT120C3S, STARPOWER

IGBT-modul,GD1600SGT120C3S,STARPOWER

1200V 1600A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD1600SGT120C3S

Kort introduktion

IGBT-modul , producerad av STARPOWER. 1200V 1600A.

Funktioner

Typisk Användning

Absolut Maximal Betyg t C =25 ℃ om inte i annat fall Noterat

Symbol	Beskrivning	GD1600SGT120C3S	Enheter
V CES	Kollektor-emitterspänning	1200	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
jag C	Samlarström @ t C =25 ℃ @ T C =80 ℃	2600 1600	A
jag CM	Pulsad samlarström t P =1 ms	3200	A
jag F	Diod kontinuerlig framåtström hyra @ T C =80 ℃	1600	A
jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms	3200	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T j =1 75℃	8.43	kW
t jmax	Maximal temperatur vid korsningen	175	℃
t STG	Lagringstemperatur Räckvidd	-40 till +125	℃
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min	4000	V
Montering Vridmoment	Sjukdomsfall:	1.8 till 2.1
	Förstärkning av motorn	8.0 till 10	N.M
	Monteringsskruv:M6	4,25 till 5,75

Elektrisk Egenskaper av IGBT t C =25 ℃ om inte i annat fall Noterat

Avslutade egenskaper

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enheter
V (BR )CES	Samlare-utgivare Bristningsspänning	t j =25 ℃	1200			V
jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 ℃			5.0	mA
jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 ℃			400	NA

Om egenskaper

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enheter
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	jag C =64 mA ,V ce = V Generella , t j =25 ℃	5.0	5.8	6.5	V
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	jag C = 1600A,V Generella =15V, t j =25 ℃		1.70	2.15	V
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	jag C = 1600A,V Generella =15V, t j =125 ℃		2.00		V

Omställning av egenskaper

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enheter
t D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =1600A, r Gon =1.6Ω, r Goff =0.2Ω, V Generella =±15V,T j =25 ℃		601		N
t r	Uppgångstid			225		N
t D (Avstängd )	Avstängning Fördröjningstider			830		N
t F	Hösttid			155		N
E på	Tänd Växling Förlust			/		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			/		MJ
t D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C = 1600A, r Gon = 1.6Ω,R Goff =0.2Ω, V Generella =±15V,T j =125 ℃		665		N
t r	Uppgångstid			225		N
t D (Avstängd )	Avstängning Fördröjningstider			970		N
t F	Hösttid			180		N
E på	Tänd Växling Förlust			326		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			251		MJ
C ies	Inmatningskapacitet	V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		115		NF
C Övriga	Utgångskapacitet			6.03		NF
C res	Omvänd överföring Kapacitet			5.23		NF
jag SC	SK-uppgifter	t P ≤ 10 μs, V Generella =15 V, t j =125 °C, V CC = 900 V, V CEM ≤1200V		6400		A
r Gint	Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning			1.6		Ω
L ce	Strömavtryck			15		nH
r CC+EE	Modulled Motstånd Terminal till chip			0.10		mΩ

Elektrisk Egenskaper av Diod t C =25 ℃ om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden		Min.	Typ.	Max.	Enheter
V F	Diod framåt Spänning	jag F = 1600A	t j =25 ℃		1.65	2.05	V
V F	Diod framåt Spänning	jag F = 1600A	t j =125 ℃		1.65		V
Q r	Återställd laddning	jag F = 1600A, V r =600 V, r G =0.45Ω, V Generella =-15V	t j =25 ℃		160		μC
Q r	Återställd laddning		t j =125 ℃		300		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström		t j =25 ℃		1100		A
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström		t j =125 ℃		1400		A
E rec	Omvänd återhämtning energi		t j =25 ℃		72		MJ
E rec	Omvänd återhämtning energi		t j =125 ℃		136		MJ

Termiska egenskaper ics

Symbol	Parameter	Typ.	Max.	Enheter
r θ JC	Förbindelse till fall (per IGB) T)		17.8	K/kW
r θ JC	Sammanslagning till fall (per D) jod)		31.0	K/kW
r θ CS	Fält-till-sänk (användning av ledande fett) Ljuger)	6		K/kW
Vikt	Vikt Modul	1500		G