IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

GD300SGL120C2S

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

± 20

V

jag C

Samlarström @ T C = 25℃

@ T C = 100℃

600

A

300

jag CM (1)

Pulserande samlare Curre nt

600

A

jag F

Diod kontinuerlig framström

300

A

jag FM

Diodens maximala framåtsträcka hyra

600

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175℃

3000

W

t SC

Kortslutning Tåga tid @ T j =125 ℃

10

μs

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

℃

t j

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

℃

t STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

℃

jag 2T-värde, diod

V r =0V, t=10ms, T j =125 ℃

19000

A 2s

V ISO

Isolationsspänning RMS, f=50Hz, t=1min

2500

V

Monteringsmoment

Signalterminal Skruv:M4

1. 1 till 2.0

N.M

Skruv för kraftterminalen:M6

2,5 till 5.0

Montering Skruv: M6

3 till 6

N.M

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

BV CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25 ℃

1200

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren

Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare

Spänning

jag C = 12mA,V ce =V Generella , t j =25 ℃

5

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =300A,V Generella =15V, t j =25 ℃

1.9

V

jag C =300A,V Generella =15V, t j = 125℃

2.1

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =300A,

90

N

t r

Uppgångstid

r G =4.7Ω, V Generella = ± 15 V, t j =25 ℃

55

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

460

N

t F

Hösttid

V CC =600V,I C =300A,

r G =4.7Ω, V Generella = ± 15 V, t j =25 ℃

55

N

E på

Slå på växling

Förlust

28

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

25

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =300A, r G =4.7Ω, V Generella = ± 15 V, t j = 125℃

110

N

t r

Uppgångstid

60

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

500

N

t F

Hösttid

60

N

E på

Slå på växling

Förlust

31

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

27

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

21

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

1.5

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.9

NF

jag SC

SK-uppgifter

t s C ≤ 10 μs, V Generella =15 V, t j =125 ℃ , V CC = 900 V, V CEM ≤ 1200V

1300

A

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC + EE ’

Modulledmotstånd e, Terminal till chip

t C =25 ℃

0.18

M Ω

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F = 300A

t j =25 ℃

2.0

2.4

V

t j = 125℃

2.2

2.5

Q r

Diod omvänd

återställningsladdning

jag F =300A,

V r =600 V,

di/dt=-2400A/μs, V Generella - Det är inte sant. 15V

t j =25 ℃

27

μC

t j = 125℃

50

jag RM

Diodspik

Omvänd återhämtning Nuvarande

t j =25 ℃

120

A

t j = 125℃

170

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25 ℃

9

MJ

t j = 125℃

20

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

r θ JC

Förbindelse till hölje (IGBT-del, pe) r Modul)

0.06

K/W

r θ JC

Anslutning till förpackning (dioddel per modul) e)

0.12

K/W

r θ CS

Fläckar och skärmar (förlängd)

0.035

K/W

Vikt

Vikt av Modul

310

G