IGBT Discrete

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

VCES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

VGES

Gate-emitter spänning

±20

V

jagC

Samlarström @ TC=25OC @ TC=100OC

150

75

A

jagCM

Pulsad Samlar Nuvarande  tP  begränsad Av tvjmax

225

A

PD

Maximal effekt Dissipation @ TVj= 175OC

852

W

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

VRRM

Upprepad topp omvänd voltÅlder

1200

V

jagF

Diod Kontinuerlig Framåt CuRent

75

A

jagFM

Pulsad Samlar Nuvarande  tP  begränsad Av tvjmax

225

A

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

tvjop

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +175

OC

tSTG

Lagrings temperaturintervall

-55 till +150

OC

ts

Lödningstemperatur 1,6 mm fRom-fallet för 10s

260

OC

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

VCE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jagC=75A,VGenerella=15V, tVj=25OC

1.75

2.20

V

jagC=75A,VGenerella=15V, tVj= 150OC

2.10

jagC=75A,VGenerella=15V, tVj= 175OC

2.20

VGenerella(th)

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jagC=3.00mA,Vce=VGenerella, tVj=25OC

5.0

5.8

6.5

V

jagCES

Samlar Avbrott-AvstängdNuvarande

Vce=VCES,VGenerella=0V, tVj=25OC

250

μA

jagGES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

VGenerella=VGES,Vce=0V,tVj=25OC

100

NA

rGint

Inre portmotstånd

2.0

Ω

Cies

Inmatningskapacitet

Vce=25V, f=100kHz, VGenerella=0V

6.58

NF

CÖvriga

Utgångskapacitet

0.40

Cres

Omvänd överföring Kapacitet

0.19

NF

QG

Portavgift

VGenerella=-15…+15V

0.49

μC

tD(på)

Tidsfördröjning för på-

VCC=600V,IC=75A,    rG=4.7Ω,

VGenerella=± 15 V, Ls=40nH,

tVj=25OC

41

N

tr

Uppgångstid

135

N

td(off)

Avstängning Fördröjningstider

87

N

tF

Hösttid

255

N

Epå

Tänd Växling Förlust

12.5

MJ

EAvstängd

Avstängning Förlust

3.6

MJ

tD(på)

Tidsfördröjning för på-

VCC=600V,IC=75A,    rG=4.7Ω,

VGenerella=± 15 V, Ls=40nH,

tVj= 150OC

46

N

tr

Uppgångstid

140

N

td(off)

Avstängning Fördröjningstider

164

N

tF

Hösttid

354

N

Epå

Tänd Växling Förlust

17.6

MJ

EAvstängd

Avstängning Förlust

6.3

MJ

tD(på)

Tidsfördröjning för på-

VCC=600V,IC=75A,    rG=4.7Ω,

VGenerella=± 15 V, Ls=40nH,

tVj= 175OC

46

N

tr

Uppgångstid

140

N

td(off)

Avstängning Fördröjningstider

167

N

tF

Hösttid

372

N

Epå

Tänd Växling Förlust

18.7

MJ

EAvstängd

Avstängning Förlust

6.7

MJ

jagSC

SK-uppgifter

tP≤10μs,VGenerella=15V,

tVj= 175OC,VCC=800V, VCEM≤1200V

300

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

VF

Diod framåt Spänning

jagF=75A,VGenerella=0V,TVj=25OC

1.75

2.20

V

jagF=75A,VGenerella=0V,TVj=150OC

1.75

jagF=75A,VGenerella=0V,TVj=175OC

1.75

trr

Diod omvänd  återhämtningstid

Vr=600V,IF=75A,

-di/dt=370A/μs,VGenerella=-15V, Ls=40nH,

tVj=25OC

267

N

Qr

Återkrävt avgift

4.2

μC

jagRM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

22

A

Erec

Omvänd återhämtning energi

1.1

MJ

trr

Diod omvänd  återhämtningstid

Vr=600V,IF=75A,

-di/dt=340A/μs,VGenerella=-15V, Ls=40nH,

tVj= 150OC

432

N

Qr

Återkrävt avgift

9.80

μC

jagRM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

33

A

Erec

Omvänd återhämtning energi

2.7

MJ

trr

Diod omvänd  återhämtningstid

Vr=600V,IF=75A,

-di/dt=320A/μs,VGenerella=-15V, Ls=40nH,

tVj= 175OC

466

N

Qr

Återkrävt avgift

11.2

μC

jagRM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

35

A

Erec

Omvänd återhämtning energi

3.1

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

rTJC

Förbindelse till fall (per IGB)T)Sammanslagning till fall (per D)jod)

0.176 0.371

K/W

rTJA

Sammanslutning med omgivning

40

K/W