IGBT Discrete

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

650

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C @ T C =135 O C

240

120

A

jag CM

Pulsad Samlar Nuvarande t P begränsad Av t jmax

360

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

893

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

650

V

jag F

Diod kontinuerlig framström @ T C =25 O C @ T C =80 O C

177

120

A

jag FM

Diod Maximal Framåt Nuvarande t P begränsad Av t jmax

360

A

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +175

O C

t STG

Lagrings temperaturintervall

-55 till +150

O C

t s

Lödningstemperatur 1,6 mm f Rom-fallet för 10s

260

O C

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C = 120A, V Generella =15V, t j =25 O C

1.40

1.85

V

jag C = 120A, V Generella =15V, t j = 150 O C

1.70

jag C = 120A, V Generella =15V, t j = 175 O C

1.75

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 1,92 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C

5.1

5.8

6.5

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 O C

250

uA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

200

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

/

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V

14.1

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.42

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 ...+15V

0.86

UC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =300V,I C = 120A, r G = 7,5Ω,

V Generella =± 15 V, L s =40 nH ,t j =25 O C

68

N

t r

Uppgångstid

201

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

166

N

t F

Hösttid

54

N

E på

Tänd Växling Förlust

7.19

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

2.56

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =300V,I C = 120A, r G = 7,5Ω,

V Generella =± 15 V, L s =40 nH ,t j = 150 O C

70

N

t r

Uppgångstid

207

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

186

N

t F

Hösttid

106

N

E på

Tänd Växling Förlust

7.70

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

2.89

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =300V,I C = 120A, r G = 7,5Ω,

V Generella =± 15 V, L s =40 nH ,t j = 175 O C

71

N

t r

Uppgångstid

211

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

195

N

t F

Hösttid

139

N

E på

Tänd Växling Förlust

7.80

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

2.98

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤6μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C,V CC = 300 V, V CEM ≤ 650 V

600

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt Spänning

jag F = 120A, V Generella =0V,T j =25 O C

1.65

2.10

V

jag F = 120A, V Generella =0V,T j =1 50O C

1.60

jag F = 120A, V Generella =0V,T j =1 75O C

1.60

t rr

Diod omvänd återhämtningstid

V r =300V,I F = 120A,

-di/dt=450 A/μs,V Generella =-15V L s =40 nH ,t j =25 O C

184

N

Q r

Återkrävt avgift

1.65

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

17.2

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

0.23

MJ

t rr

Diod omvänd återhämtningstid

V r =300V,I F = 120A,

-di/dt=450 A/μs,V Generella =-15V L s =40 nH ,t j = 150 O C

221

N

Q r

Återkrävt avgift

3.24

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

23.1

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

0.53

MJ

t rr

Diod omvänd återhämtningstid

V r =300V,I F = 120A,

-di/dt=450 A/μs,V Generella =-15V L s =40 nH ,t j = 175 O C

246

N

Q r

Återkrävt avgift

3.98

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

26.8

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

0.64

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

r TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T) Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.168 0.369

K/W

r TJA

Sammanslutning med omgivning

40

K/W