Alla kategorier

IGBT-modul 1200V

IGBT-modul 1200V

Hemsida /  Produkter  /  IGBT-modul /  IGBT-modul 1200V

GD900SGY120C2S,IGBT Modul,STARPOWER

1200V 900A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD900SGY120C2S
  • Introduktion
  • Översikt
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul , tillverkad av STARPOWER. 1200V 600A.

Funktioner

  • Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
  • 10 μs kortslutningsförmåga
  • VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
  • Maximal temperatur vid sammankopplingen 175oC
  • Låg induktanshus
  • Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
  • Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Typisk Användning

  • Inverterare för motordrivning
  • Förstärkare för AC- och DC-servoanström
  • Oavbrutbar strömförsörjning

Absolut Maximal Betyg t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

IGBT

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

1410

900

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

1800

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T = 175 O C

5000

W

Diod

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

900

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

1800

A

Modul

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =900A,V Generella =15V, t j =25 O C

1.80

2.25

V

jag C =900A,V Generella =15V, t j =125 O C

2.10

jag C =900A,V Generella =15V, t j = 150 O C

2.15

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =22.5 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

0.6

Ω

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15V…+15V

7.40

μC

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =900A,

r Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω, V Generella =±15V,T j =25 O C

257

N

t r

Uppgångstid

96

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

628

N

t F

Hösttid

103

N

E

Tänd Växling

Förlust

43

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

82

MJ

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =900A,

r Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω,

V Generella =±15V,T j = 125O C

268

N

t r

Uppgångstid

107

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

659

N

t F

Hösttid

144

N

E

Tänd Växling

Förlust

59

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

118

MJ

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =900A,

r Gon = 1.5Ω,R Goff =0.9Ω,

V Generella =±15V,T j = 150O C

278

N

t r

Uppgångstid

118

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

680

N

t F

Hösttid

155

N

E

Tänd Växling

Förlust

64

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

134

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C,V CC =800V,

V CEM ≤1200V

3600

A

Diod Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =900A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.71

2.16

V

jag F =900A,V Generella =0V,T j = 125O C

1.74

jag F =900A,V Generella =0V,T j = 150O C

1.75

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =25 O C

76

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

513

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

38.0

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 125O C

143

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

684

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

71.3

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=6000A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 150O C

171

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

713

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

80.8

MJ

Modul Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.18

r TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.030

0.052

K/W

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) Diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.016

0.027

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G

Översikt

Få ett gratis offert

Vår representant kontaktar dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

RELATERAD PRODUKT

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett offert

Få ett gratis offert

Vår representant kontaktar dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000