Alla kategorier

IGBT-modul 1200V

IGBT-modul 1200V

Hemsida /  Produkter  /  IGBT-modul /  IGBT-modul 1200V

GD900HFX120P1SA,IGBT Modul,STARPOWER

1200V 900A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD900HFX120P1SA
  • Introduktion
  • Översikt
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul , producerad av StarPower. 1200V 900A.

Funktioner

  • Låg V ce (satt ) Gräv IGBT Teknologi
  • 10μs kortslutningskapac itet
  • V ce (satt ) Med positiv Temperatur Koefficient
  • Maximal sammanslagningstemperatur 175O C
  • Låg induktansi Fall
  • Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik
  • Hög effekt och termisk cykling kapabil itet

Typisk Användning

  • Hög effektomvandlare
  • Solenergi
  • Hybrid- och elfordon

Absolut Maximal Betyg t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

IGBT

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

1522

900

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

1800

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

5.24

kW

Diod

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

900

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

1800

A

Modul

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

IGBT Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =900A,V Generella =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

jag C =900A,V Generella =15V, t j =125 O C

1.95

jag C =900A,V Generella =15V, t j = 150 O C

2.00

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =22.5 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C

5.2

6.0

6.8

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

0.63

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

93.2

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

2.61

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15 +15V

6.99

μC

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =900A, r G =1.6Ω,

V Generella =± 15 V, t j =25 O C

214

N

t r

Uppgångstid

150

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

721

N

t F

Hösttid

206

N

E

Tänd Växling

Förlust

76

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

128

MJ

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =900A, r G =1.6Ω,

V Generella =± 15 V, t j =125 O C

235

N

t r

Uppgångstid

161

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

824

N

t F

Hösttid

412

N

E

Tänd Växling

Förlust

107

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

165

MJ

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =900A, r G =1.6Ω,

V Generella =± 15 V, t j = 150 O C

235

N

t r

Uppgångstid

161

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

876

N

t F

Hösttid

464

N

E

Tänd Växling

Förlust

112

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

180

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

3600

A

Diod Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =900A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.90

2.25

V

jag F =900A,V Generella =0V,T j = 125O C

1.85

jag F =900A,V Generella =0V,T j = 150O C

1.80

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V Generella =-15V t j =25 O C

86

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

475

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

36.1

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V Generella =-15V t j = 125O C

143

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

618

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

71.3

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=4800A/μs,V Generella =-15V t j = 150O C

185

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

665

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

75.1

MJ

NTC Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

r 25

Nominellt motstånd

5.0

ΔR/R

Avvikelse av r 100

t C = 100 O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3433

k

Modul Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

18

nH

r CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.30

r TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till fall (per D) jod)

28.6

51.9

K/kW

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) Diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

14.0

25.3

4.5

K/kW

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutning Moment, Skruv M8 Monteringsmoment Skruv M5

1.8

8.0

3.0

2.1

10

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

825

G

Översikt

Få ett gratis offert

Vår representant kontaktar dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

RELATERAD PRODUKT

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett offert

Få ett gratis offert

Vår representant kontaktar dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000