IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

GD800SGT120C3S

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ t C =25 ℃

@ T C =80 ℃

1350

800

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

1600

A

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

@ T C =80 ℃

800

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

1600

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j =1 75℃

4.44

kW

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

℃

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

℃

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

℃

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Montering Vridmoment

Sjukdomsfall:

1.8 till 2.1

Förstärkning av motorn

8.0 till 10

N.M

Monteringsskruv:M6

4,25 till 5,75

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR )CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25 ℃

1200

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =32 mA ,V ce = V Generella , t j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =800A,V Generella =15V, t j =25 ℃

1.70

2.15

V

jag C =800A,V Generella =15V, t j =125 ℃

2.00

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =800A,

r Gon =3.6Ω,

r Goff = 0,91Ω,

V Generella =±15V,T j =25 ℃

250

N

t r

Uppgångstid

190

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

90

N

t F

Hösttid

130

N

E på

Tänd Växling

Förlust

58.1

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

85.4

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =800A, r Gon =3.6Ω,

r Goff = 0,91Ω,

V Generella =±15V,T j =125 ℃

260

N

t r

Uppgångstid

200

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

810

N

t F

Hösttid

210

N

E på

Tänd Växling

Förlust

85.5

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

126

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

57.7

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

3.02

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

2.62

NF

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15 V,

t j =125 °C, V CC = 900 V,

V CEM ≤1200V

3200

A

Q G

Portavgift

V CC =600V,I C =800A, V Generella =-15 ﹍+15V

7.4

μC

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

0.78

Ω

L ce

Strömavtryck

15

nH

r CC+EE

Modulled

Motstånd

Terminal till chip

0.10

mΩ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F = 800A

t j =25 ℃

1.65

2.10

V

t j = 125℃

1.65

Q r

Återställd

laddning

jag F =800A,

V r =600 V,

r G =3.6Ω,

V Generella =-15V

t j =25 ℃

48.6

μC

t j =125 ℃

91.2

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

t j =25 ℃

340

A

t j =125 ℃

440

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25 ℃

21.8

MJ

t j =125 ℃

41.3

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

r θ JC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

33.8

K/kW

r θ JC

Sammanslagning till fall (per D) jod)

57.4

K/kW

r θ CS

Fält-till-sänk (användning av ledande fett) Ljuger)

6

K/kW

Vikt

Vikt Modul

1500

G