IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

± 30

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

1250

800

A

jag CM

Pulsad samlarström t P = 1 ms

1600

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

4166

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

800

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

1600

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =800A,V Generella = 15 V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

jag C =800A,V Generella = 15 V, t j =125 O C

1.95

jag C =800A,V Generella = 15 V, t j = 150 O C

2.00

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =32.0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C

5.0

5.7

6.5

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

0.13

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =30V, f=1MHz,

V Generella =0V

79.2

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

2.40

NF

Q G

Portavgift

V Generella = 15V

4.80

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =800A, r G = 1,0Ω,

V Generella =± 15 V, t j =25 O C

408

N

t r

Uppgångstid

119

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

573

N

t F

Hösttid

135

N

E på

Tänd Växling

Förlust

21.0

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

72.4

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =800A, r G = 1,0Ω,

V Generella =± 15 V, t j = 125O C

409

N

t r

Uppgångstid

120

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

632

N

t F

Hösttid

188

N

E på

Tänd Växling

Förlust

26.4

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

107

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =800A, r G = 1,0Ω,

V Generella =± 15 V, t j = 150O C

410

N

t r

Uppgångstid

123

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

638

N

t F

Hösttid

198

N

E på

Tänd Växling

Förlust

28.8

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

112

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella = 15 V,

t j = 150 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

3200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =800A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

jag F =800A,V Generella =0V,T j = 125O C

1.85

jag F =800A,V Generella =0V,T j = 150O C

1.85

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =800A,

-di/dt=6700A/μs,

V Generella - Det är inte sant. 15V t j =25 O C

81.0

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

518

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

39.4

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =800A,

-di/dt=6700A/μs,

V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 125O C

136

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

646

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

65.2

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =800A,

-di/dt=6700A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 150O C

155

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

684

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

76.6

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.18

mΩ

r TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.036

0.048

K/W

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) Diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.123

0.163

0.035

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M4 Terminalanslutning Moment, Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G