IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

± 30

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

890

600

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

1200

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C

2830

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

600

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

1200

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

O C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 600 A, V Generella =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

jag C = 600 A, V Generella =15V, t j =125 O C

1.95

jag C = 600 A, V Generella =15V, t j = 150 O C

2.00

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 24,0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C

5.0

5.6

6.5

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

0.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =30V, f=1MHz,

V Generella =0V

52.0

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

1.68

NF

Q G

Portavgift

V Generella =15V

3.28

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, r G = 1. 1Ω,

V Generella =± 15 V, t j =25 O C

332

N

t r

Uppgångstid

106

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

525

N

t F

Hösttid

125

N

E på

Tänd Växling

Förlust

12.6

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

54.6

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, r G = 1. 1Ω,

V Generella =± 15 V, t j = 125O C

335

N

t r

Uppgångstid

110

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

575

N

t F

Hösttid

168

N

E på

Tänd Växling

Förlust

21.2

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

69.2

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 600A, r G = 1. 1Ω,

V Generella =± 15 V, t j = 150O C

340

N

t r

Uppgångstid

112

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

586

N

t F

Hösttid

185

N

E på

Tänd Växling

Förlust

22.9

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

74.0

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C,

V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

2400

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F = 600 A, V Generella =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

jag F = 600 A, V Generella =0V,T j = 125O C

1.85

jag F = 600 A, V Generella =0V,T j = 150O C

1.85

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=5800A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15 V, t j =25 O C

58.6

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

472

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

29.6

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=5800A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15 V, t j = 125O C

106

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

604

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

52.8

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V CC =600V,I F = 600A,

-di/dt=5800A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15 V, t j = 150O C

122

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

644

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

60.7

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.18

mΩ

r TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.053

0.071

K/W

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) Diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.061

0.082

0.035

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G