IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

GD450HFT120C6S_G8

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

± 30

V

jag C

Samlarström @ T C =25 ℃

@ T C =100 ℃

660

450

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

900

A

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

450

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

900

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j =17 5℃

2083

W

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

℃

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

℃

t STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

℃

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t =1min

2500

V

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3,0 till 6.0

3,0 till 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

910

G

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR )CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25 ℃

1200

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 450 A, r G = 1,5Ω,

V Generella =± 15 V, t j =25 ℃

360

N

t r

Uppgångstid

140

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

550

N

t F

Hösttid

146

N

E på

Tänd Växling

Förlust

11.5

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

48.0

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 450 A, r G = 1,5Ω,

V Generella =± 15 V, t j =125 ℃

374

N

t r

Uppgångstid

147

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

623

N

t F

Hösttid

178

N

E på

Tänd Växling

Förlust

17.9

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

64.5

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =30V, f=1MHz,

V Generella =0V

39.0

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

1.26

NF

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤10μs, V Generella =15V,

t j =125 ℃ ,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

1800

A

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

0.67

Ω

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC+EE

Modulled

Motstånd

Terminal till chip

1.10

mΩ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F = 450 A

t j =25 ℃

1.65

2.25

V

t j =125 ℃

1.65

Q r

Återställd

laddning

jag F = 450 A,

V r =600 V,

r G = 1,5Ω,

V Generella =-15V

t j =25 ℃

41.6

μC

t j =125 ℃

77.5

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

t j =25 ℃

241

A

t j =125 ℃

325

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25 ℃

23.2

MJ

t j =125 ℃

43.1

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

r 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av r 100

r 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Effektbegränsning

20.0

mW

B 25/50

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

r θ JC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

0.072

K/W

r θ JC

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.110

K/W

r θ CS

Fläckar och skärmar (förpackning)

0.005

K/W