GD450HFL170C2S, IGBT-modul, STARPOWER

GD450HFL170C2S,IGBT-modul,STARPOWER

1700V 450A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD450HFL170C2S

Kort introduktion

IGBT-modul , producerad av STARPOWER. 1700V 450A.

Funktioner

Typisk Användning

Absolut Maximal Betyg t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

IGBT

Diod

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
V RRM	Upprepad toppomvänd spänning	1700	V
jag F	Diod kontinuerlig framåtström hyra	450	A
jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms	900	A

Modul

Symbol	Beskrivning	värde	enhet
t jmax	Maximal temperatur vid korsningen	175	O C
t - Vad?	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +150	O C
t STG	Lagringstemperatur Räckvidd	-40 till +125	O C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min	4000	V

IGBT Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
VCE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	IC=450A,VGE=15V, Tj=25oC		2.00	2.45	V
		IC=450A,VGE=15V, Tj=125oC		2.40
		IC=450A,VGE=15V, Tj=150oC		2.50
VGE (å)	Gränsspänning för utgivare	IC= 18.0mA,VCE=VGE, Tj=25oC	5.4	6.1	7.4	V
ICES	Kollektorns avskärmning Nuvarande	VCE=VCES, VGE=0V, Tj=25oC			5.0	mA
IGES	Lekkad ström från gate-emitter	VGE=VGES,VCE=0V, Tj=25oC			400	NA
RGint	Inre portmotstånd			0.3		Ω
- Det är sant.	Inmatningskapacitet	VCE=25V, f=1MHz, VGE=0V		30.0		NF
Cres	Omvänd överföring Kapacitet	VCE=25V, f=1MHz, VGE=0V		1.08		NF
Qg	Portavgift	VGE=-15…+15V		2.70		μC
Td (på)	Tidsfördröjning för på-	VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj=25oC		504		N
t	Uppgångstid			183		N
Avstängning	Avstängningens fördröjningstid			616		N
TF	Hösttid			188		N
EON	Slå på växling Förlust			126		MJ
EOFF	Avstängning Förlust			89		MJ
Td (på)	Tidsfördröjning för på-	VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 125oC		506		N
t	Uppgångstid			194		N
Avstängning	Avstängningens fördröjningstid			704		N
TF	Hösttid			352		N
EON	Slå på växling Förlust			162		MJ
EOFF	Avstängning Förlust			124		MJ
Td (på)	Tidsfördröjning för på-	VCC=900V,IC=450A, RG=3.3Ω,VGE=±15V, Tj= 150oC		510		N
t	Uppgångstid			198		N
Avstängning	Avstängningens fördröjningstid			727		N
TF	Hösttid			429		N
EON	Slå på växling Förlust			174		MJ
EOFF	Avstängning Förlust			132		MJ
ISC	SK-uppgifter	TP≤10μs,VGE=15V, Tj= 150oC,VCC= 1000V, VCEM≤1700V		1440		A

Diod Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V F	Diod framåt Spänning	jag F = 450 A, V Generella =0V,T j =25 O C		1.87	2.32	V
		jag F = 450 A, V Generella =0V,T j = 125O C		2.00
		jag F = 450 A, V Generella =0V,T j = 150O C		2.05
Q r	Återkrävt avgift	V r = 900 V,I F = 450 A, -di/dt=3000A/μs,V Generella =-15V t j =25 O C		107		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			519		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			75		MJ
Q r	Återkrävt avgift	V r = 900 V,I F = 450 A, -di/dt=3000A/μs,V Generella =-15V t j = 125O C		159		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			597		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			113		MJ
Q r	Återkrävt avgift	V r = 900 V,I F = 450 A, -di/dt=3000A/μs,V Generella =-15V t j = 150O C		170		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			611		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			119		MJ

Modul Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	enhet
L ce	Strömavtryck			20	nH
r CC+EE	Modul blymotstånd, terminal till chip		0.35		mΩ
r TJC	Förbindelse till fall (per IGB) T) Sammanslagning till fall (per D) jod)			0.056 0.112	K/W
r ThCH	Hylsa till värmesänk (per IGBT) Högsta värmeeffekt (p) Diod) Hylsa till värmesänk (per Modul)		0.105 0.210 0.035		K/W
M	Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Vikt av Modul		300		G