IGBT-modul 1700V

Symbol

Beskrivning

GD400SGT170C2S

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

± 20

V

jag C

Samlarström @ T C = 25℃

@ T C =80 ℃

700

A

400

jag CM (1)

Pulsad samlarström t P =1 ms

800

A

jag F

Diod kontinuerlig framström

400

A

jag FM

Diodens maximala framåtsträcka hyra

800

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175℃

3000

W

t SC

Kortslutning Tåga tid @ T j =125 ℃

10

μs

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

℃

t STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

℃

jag 2t-värde,Diode

V r =0V,t=10ms,T j =125 ℃

25500

A 2s

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Monteringsmoment

Skruv för kraftterminalen:M4

Skruv för kraftterminalen:M6

1.1 till 2.0

2,5 till 5.0

N.M

Montering Skruv: M6

3,0 till 5.0

N.M

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR )CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

V Generella =0V, jag C = 14mA, t j =25 ℃

1700

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 ℃

3.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren

Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare

Spänning

jag C = 16 mA, V ce =V Generella , t j =25 ℃

5.2

5.8

6.4

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 400 A,V Generella =15V, t j =25 ℃

2.00

2.45

V

jag C = 400 A,V Generella =15V, t j = 125℃

2.40

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C = 400A,

278

N

t r

Uppgångstid

r G =3.6Ω,V Generella = ± 15 V,

81

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

t j =25 ℃

802

N

t F

Hösttid

V CC = 900 V,I C = 400A, r G =3.6Ω,V Generella = ± 15 V, t j =25 ℃

119

N

E på

Slå på växling

Förlust

104

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

86

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C = 400A, r G =3.6Ω,V Generella = ± 15 V, t j = 125℃

302

N

t r

Uppgångstid

99

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

1002

N

t F

Hösttid

198

N

E på

Slå på växling

Förlust

136

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

124

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

36

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

1.5

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

1.2

NF

jag SC

SK-uppgifter

t s C ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j =125 ℃ ,V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V

1600

A

r Gint

Inre portresis - Självklart.

1.9

Ω

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC + EE ’

Modul blymotstånd ce, Terminal till chip

t C =25 ℃

0.18

M Ω

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =400A

t j =25 ℃

1.80

2.20

V

t j = 125℃

1.90

Q r

Diod omvänd

återställningsladdning

jag F = 400A,

V r =900 V,

di/dt=-4250A/μs, V Generella - Det är inte sant. 15V

t j =25 ℃

99

μC

t j = 125℃

172

jag RM

Diodspik

Omvänd återhämtning Nuvarande

t j =25 ℃

441

A

t j = 125℃

478

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25 ℃

53

MJ

t j = 125℃

97

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

r θ JC

Förbindelse till hölje (IGBT-del, pe) r Modul)

0.05

K/W

r θ JC

Anslutning till förpackning (dioddel per modul) e)

0.09

K/W

r θ CS

Fläckar och skärmar (förlängd)

0.035

K/W

Vikt

Vikt av Modul

300

G