IGBT-modul 1700V

Symbol

Beskrivning

GD300SGL170C2S

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ t C =25 ℃

@ T C = 100℃

460

300

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

600

A

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

300

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

600

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j =1 75℃

2273

W

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

℃

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

℃

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

℃

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

4000

V

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M4

1.1 till 2.0

Terminalanslutningsmoment Skruv M6

2,5 till 5.0

N.M

Monteringsmoment Skruv M6

3,0 till 5.0

G

Vikt av Modul

300

G

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR )CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25 ℃

1700

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 24,0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 ℃

5.4

6.2

7.4

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =300A,V Generella =15V, t j =25 ℃

2.50

2.95

V

jag C =300A,V Generella =15V, t j =125 ℃

3.00

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A, r G = 4,7Ω,V Generella =± 15 V, t j =25 ℃

464

N

t r

Uppgångstid

157

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

421

N

t F

Hösttid

290

N

E på

Tänd Växling

Förlust

108

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

55.2

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A, r G = 4,7Ω,V Generella =± 15 V, t j = 125℃

483

N

t r

Uppgångstid

161

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

465

N

t F

Hösttid

538

N

E på

Tänd Växling

Förlust

128

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

83.7

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

20.4

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.72

NF

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15 V,

t j =125 ℃,V CC = 1300 V, V CEM ≤ 1700V

960

A

Q G

Portavgift

V CC = 900 V,I C =300A, V Generella =-15 ﹍+15V

2.4

μC

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC+EE

Modulled

Motstånd

Terminal till chip

0.18

mΩ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F = 300A

t j =25 ℃

1.80

2.25

V

t j =125 ℃

1.95

Q r

Återställd

laddning

jag F =300A,

V r = 900 V,

r G =4.7Ω,

V Generella =-15V

t j =25 ℃

70.3

μC

t j =125 ℃

108

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

t j =25 ℃

209

A

t j =125 ℃

238

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25 ℃

40.7

MJ

t j =125 ℃

65.1

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

r θ JC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

0.066

K/W

r θ JC

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.105

K/W

r θ CS

Fält-till-sänk (användning av ledande fett) Ljuger)

0.035

K/W