IGBT-modul 1700V

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C = 100O C

490

300

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

600

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T = 175 O C

2027

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =300A,V Generella =15V, t j =25 O C

2.40

2.85

V

jag C =300A,V Generella =15V, t j =125 O C

2.80

jag C =300A,V Generella =15V, t j = 150 O C

2.90

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 12.0mA,V ce =V Generella , T j =25 O C

5.4

6.2

7.4

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

20.3

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.69

NF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

2.31

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A, r G =4.7Ω,

V Generella =± 15 V, t j =25 O C

200

N

t r

Uppgångstid

97

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

410

N

t F

Hösttid

370

N

E på

Tänd Växling

Förlust

82.0

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

60.0

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A, r G =4.7Ω,

V Generella =± 15 V, t j = 125O C

250

N

t r

Uppgångstid

99

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

630

N

t F

Hösttid

580

N

E på

Tänd Växling

Förlust

115

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

90.0

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A, r G =4.7Ω,

V Generella =± 15 V, t j = 150O C

260

N

t r

Uppgångstid

105

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

670

N

t F

Hösttid

640

N

E på

Tänd Växling

Förlust

125

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

100

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C,V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V

1200

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =300A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

jag F =300A,V Generella =0V,T j = 125O C

1.95

jag F =300A,V Generella =0V,T j = 150O C

1.90

Q r

Återkrävt avgift

V r = 900 V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =25 O C

90.0

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

270

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

45.0

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r = 900 V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 125O C

135

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

315

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

75.5

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r = 900 V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 150O C

160

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

330

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

84.0

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

r 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av r 100

t C = 100O C,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Effektbegränsning

20.0

mW

B 25/50

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

1.10

mΩ

r θ JC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.074

0.121

K/W

r θ CS

Kapsling till kylare (per IGBT)

Kapsling till kylare (per diod)

0.029

0.047

K/W

r θ CS

Kapsling till kylare

0.009

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Vikt Modul

350

G