IGBT-modul 1700V

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1700

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C =90 O C

430

300

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

600

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T = 175 O C

1851

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1700

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

300

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

600

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

O C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =300A,V Generella =15V, t j =25 O C

2.40

2.85

V

jag C =300A,V Generella =15V, t j =125 O C

2.80

jag C =300A,V Generella =15V, t j = 150 O C

2.90

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 12.0mA,V ce =V Generella , T j =25 O C

5.4

6.2

7.4

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

2.3

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

20.0

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.72

NF

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

1.8

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A, r G =4.7Ω,

V Generella =± 15 V, t j =25 O C

464

N

t r

Uppgångstid

157

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

421

N

t F

Hösttid

290

N

E på

Tänd Växling

Förlust

108

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

55.2

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A, r G =4.7Ω,

V Generella =± 15 V, t j =125 O C

483

N

t r

Uppgångstid

161

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

465

N

t F

Hösttid

538

N

E på

Tänd Växling

Förlust

128

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

83.7

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC = 900 V,I C =300A, r G =4.7Ω,

V Generella =± 15 V, t j = 150 O C

492

N

t r

Uppgångstid

165

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

483

N

t F

Hösttid

747

N

E på

Tänd Växling

Förlust

141

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

92.1

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j = 150O C,V CC = 1000 V, V CEM ≤ 1700V

960

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =300A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.80

2.25

V

jag F =300A,V Generella =0V,T j =125 O C

1.95

jag F =300A,V Generella =0V,T j = 150 O C

1.90

Q r

Återkrävt avgift

V r = 900 V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =25 O C

70

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

209

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

40.7

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r = 900 V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =125 O C

108

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

238

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

65.1

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r = 900 V,I F =300A,

-di/dt=2800A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j = 150 O C

123

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

253

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

71.6

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

15

nH

r CC+EE

Modul blymotstånd Terminal till chip

0.25

mΩ

r TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.081

0.138

K/W

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Kapsling-till-kylfläns (pe r diod)

Kapsling-till-kylfläns (per M odul)

0.032

0.054

0.010

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

300

G