IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

GD2400SGL120C3SN

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ t C =25 ℃

@ T C = 100℃

3550

2400

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

4800

A

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

2400

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

4800

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j =1 75℃

12.8

kW

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

℃

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

℃

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

℃

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Montering Vridmoment

Sjukdomsfall:

1.8 till 2.1

Förstärkning av motorn

8.0 till 10

N.M

Monteringsskruv:M6

4.25 till 5.75

Vikt

Vikt av Modul

1500

G

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR )CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25 ℃

1200

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 96 mA ,V ce = V Generella , t j =25 ℃

5.4

7.4

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 2400A,V Generella =15V, t j =25 ℃

1.95

2.40

V

jag C = 2400A,V Generella =15V, t j =125 ℃

2.10

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 2400A, r Gon = 1,0Ω,

r Goff =2.3Ω,

V Generella =±15V,T j =25 ℃

188

N

t r

Uppgångstid

131

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

1040

N

t F

Hösttid

132

N

E på

Tänd Växling

Förlust

272

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

320

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 2400A, r Gon = 1,0Ω,

r Goff =2.3Ω,

V Generella =±15V,T j =125 ℃

214

N

t r

Uppgångstid

184

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

1125

N

t F

Hösttid

138

N

E på

Tänd Växling

Förlust

268

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

416

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

TBD

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

TBD

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

TBD

NF

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15 V,

t j = 150 ℃,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

9000

A

Q G

Portavgift

V CC =600V,I C = 2400A, V Generella =-15 ﹍+15V

TBD

μC

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

1.3

Ω

L ce

Strömavtryck

12

nH

r CC+EE

Modulled

Motstånd

Terminal till chip

0.19

mΩ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F = 2400A

t j =25 ℃

1.80

2.20

V

t j =125 ℃

1.75

Q r

Återställd

laddning

jag F = 2400A,

V r =600 V,

r G = 1.6Ω,

V Generella =-15V

t j =25 ℃

246

μC

t j =125 ℃

435

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

t j =25 ℃

810

A

t j =125 ℃

1160

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25 ℃

103

MJ

t j =125 ℃

182

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

r θ JC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

11.7

K/kW

r θ JC

Sammanslagning till fall (per D) jod)

21.9

K/kW

r θ CS

Fält-till-sänk (användning av ledande fett) Ljuger)

6

K/kW