Alla kategorier

IGBT-modul 1200V

IGBT-modul 1200V

Hemsida /  Produkter  /  IGBT-modul /  IGBT-modul 1200V

GD225HTT120C7S, IGBT-modul, 6 i en paket, STARPOWER

1200V 225A

Brand:
STARPOWER
Spu:
GD225HTT120C7S
  • Introduktion
  • Översikt
  • Ekvivalent krets schema
Introduktion

Kort introduktion

IGBT-modul , tillverkad av STARPOWER. 1200V 225a.

Funktioner

  • Låg VCE(sat) Trench IGBT-teknik
  • Låga bytesförluster
  • 10 μs kortslutningsförmåga
  • VCE(sat) med positiv temperaturkoefficient
  • Låg induktanshus
  • Snabb och mjuk omvänd återhämtning anti-parallel FWD
  • Isolerad kopparbasplatt med DBC-teknik

Typiska Tillämpningar

  • Inverterare för motordrivning
  • Förstärkare för AC- och DC-servoanström
  • Oavbruten strömförsörjning Y

IGBT -Inverter t C =25 om inte i annat fall Noterat

Maximal nominellt värde

Symbol

Beskrivning

GD225HTT120C7S

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning @ T j =25

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning @ T j =25

±20

V

jag C

Samlarström @ t C =25

@ T C =80

400

225

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

450

A

P för

Total effektförlust @ T j = 175

1442

W

Avslutade egenskaper

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR )CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25

1200

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25

400

NA

Om egenskaper

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =9.0 mA ,V ce = V Generella , t j =25

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =225A,V Generella =15V, t j =25

1.70

2.15

V

jag C =225A,V Generella =15V, t j =125

2.00

Omställning av egenskaper

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =225A, r G = 3,3Ω,V Generella =± 15 V, t j =25

251

N

t r

Uppgångstid

89

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

550

N

t F

Hösttid

125

N

E

Tänd Växling Förlust

/

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

/

MJ

t D ()

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =225A, r G = 3,3Ω,V Generella =± 15 V, t j =125

305

N

t r

Uppgångstid

100

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

660

N

t F

Hösttid

162

N

E

Tänd Växling Förlust

15.1

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

35.9

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

16.0

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

0.84

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.73

NF

Q G

Portavgift

V CC =600V,I C =225A, V Generella =15V

2.1

μC

r Gint

Inre portmotstånd

3.3

Ω

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15 V,

t j =125 °C, V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

900

A

Diod -Inverter t C =25 om inte i annat fall Noterat

Maximal nominellt värde

Symbol

Beskrivning

GD225HTT120C7S

Enheter

V RRM

Repetitiv topp omvänd spänning @ T j =25

1200

V

jag F

DC framåtström @ T C =80

225

A

jag Från och med den 1 januari

Repetitiv topp framåtström t P =1 ms

450

A

Kännetecken Värden

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =225A,

V Generella =0V

t j =25

1.65

2.15

V

t j =125

1.65

Q r

Återkrävt avgift

jag F =225A,

V r =600 V,

r G = 3,3Ω,

V Generella =-15V

t j =25

22

μC

t j =125

43

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

t j =25

160

A

t j =125

198

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25

11.2

MJ

t j =125

19.9

Elektrisk Egenskaper av NTC t C =25 om inte i annat fall Noterat

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

r 25

Nominellt motstånd

5.0

∆R/R

Avvikelse av r 100

r 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Effektbegränsning

20.0

mW

B 25/50

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2-

1/(298.15K))]

3375

k

IGBT-modul

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

2500

V

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC+EE

Modulledmotstånd e, Terminal till Chip @ T C =25

1.10

r θ JC

Förbindelse-till-kassa (per IGBT-inverterare) Förbindelse-till-kassa (per DIOD-inverterare) r)

0.104

0.173

K/W

r θ CS

Fält-till-sänk (användning av ledande fett) Ljuger)

0.005

K/W

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40

125

Montering Vridmoment

Skruv för kraftterminalen:M6

Montering Skruv: M5

3.0

3.0

6.0

6.0

N.M

G

Vikt av Modul

910

G

Översikt

Ekvivalent krets schema

Få ett gratis offert

Vår representant kontaktar dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000

RELATERAD PRODUKT

Har du frågor om några produkter?

Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.

Få ett offert

Få ett gratis offert

Vår representant kontaktar dig snart.
Email
Namn
Företagsnamn
Meddelande
0/1000