IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

GD225HTL120C7S

Enheter

V CES

Samlar-emitter spänning @ T j =25 ℃

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

± 20

V

jag C

Samlarström @ T C = 25℃

@ T C = 100℃

400

225

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

450

A

P för

Total effektförlust @ T j = 175℃

1973

W

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR )CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25 ℃

1200

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren

Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare

Spänning

jag C =9.0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =225A,V Generella =15V, t j =25 ℃

1.90

2.35

V

jag C =225A,V Generella =15V, t j = 125℃

2.10

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

2.3

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =225A, r G =5.0Ω,V Generella = ± 15 V, t j =25 ℃

168

N

t r

Uppgångstid

75

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

440

N

t F

Hösttid

55

N

E på

Slå på växling

Förlust

27.9

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

37.2

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =225A, r G =5.0Ω,V Generella = ± 15 V, t j = 125℃

176

N

t r

Uppgångstid

75

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

510

N

t F

Hösttid

75

N

E på

Slå på växling

Förlust

13.5

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

22.5

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

16.6

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

1.20

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.78

NF

jag SC

SK-uppgifter

t s C ≤ 10μs,V Generella ≤ 15 V, t j =125 ℃ ,V CC =600 V, V CEM ≤ 1200V

1050

A

r Gint

Inre portresis - Självklart.

1.0

Ω

Symbol

Beskrivning

GD225HTL120C7S

Enheter

V RRM

Samlar-emitter spänning @ T j =25 ℃

1200

V

jag F

DC framåtström @ T C =80 ℃

225

A

jag Från och med den 1 januari

Repetitiv topp framåtström t P =1 ms

450

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =225A, V Generella =0V

t j =25 ℃

1.80

2.20

V

t j = 125℃

1.85

Q r

Återkrävt avgift

V r = 600 V,

jag F =225A,

r G =5.0Ω,

V Generella - Det är inte sant. 15V

t j =25 ℃

30

μC

t j = 125℃

57

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

t j =25 ℃

195

A

t j = 125℃

255

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25 ℃

10.8

MJ

t j = 125℃

22.5

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

r 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av r 100

t C = 100℃ ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Effektbegränsning

20.0

mW

B 25/50

B-värde

r 2=R 25Exp[B 25/50 (1/T 2- 1/(298.1 5K))]

3375

k

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC + EE ’

Modul blymotstånd, terminal till chip @ T C =25 ℃

1.1

M Ω

r θ JC

Sammanslagning till fall (per IG) BT)

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.076

0.154

K/W

r θ CS

Fall-till-sänka (Ledande fett tillämpad)

0.005

K/W

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

℃

t STG

Lagrings temperaturintervall

-40

125

℃

Montering

Vridmoment

Förstärkning av motorn

3.0

6.0

N.M

Montering Skruv: M6

3.0

6.0

N.M

Vikt

Vikt av Modul

910

G