1200V 200A
Kort introduktion
IGBT-modul ,tillverkad av STARPOWER. 1200V 200a.
Funktioner
Typiska Tillämpningar
Absolut Maximal Betyg t C =25 O C om inte i annat fall Noterat
IGBT
Symbol | Beskrivning | värde | enhet |
V CES | Kollektor-emitterspänning | 1200 | V |
V GES | Gate-emitter spänning | ± 30 | V |
jag C | Samlarström @ T C =25 O C @ T C = 100O C | 310 200 | A |
jag CM | Pulsad samlarström t P =1 ms | 400 | A |
P D | Maximal effekt Dissipation @ T j = 175 O C | 1034 | W |
Diod
Symbol | Beskrivning | värde | enhet |
V RRM | Upprepad toppomvänd spänning | 1200 | V |
jag F | Diod kontinuerlig framåtström hyra | 200 | A |
jag FM | Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms | 400 | A |
Modul
Symbol | Beskrivning | värde | enhet |
t jmax | Maximal temperatur vid korsningen | 175 | O C |
t - Vad? | Användningstemperatur vid kryssningsstationen | -40 till +150 | O C |
t STG | Lagringstemperatur Räckvidd | -40 till +125 | O C |
V ISO | Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut. | 2500 | V |
IGBT Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat
Symbol | Parameter | Testförhållanden | Min. | Typ. | Max. | enhet |
V CE (sat) |
Samlare till emitterare Mätningsspänning | jag C =200A,V Generella =15V, t j =25 O C |
| 1.70 | 2.15 |
V |
jag C =200A,V Generella =15V, t j =125 O C |
| 1.95 |
| |||
jag C =200A,V Generella =15V, t j = 150 O C |
| 2.00 |
| |||
V Generella (th ) | Gränssnitt för gate-emitterare Spänning | jag C =8.0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C | 5.0 | 5.8 | 6.5 | V |
jag CES | Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande | V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 O C |
|
| 5.0 | mA |
jag GES | Läckage i port-sändaren Nuvarande | V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C |
|
| 400 | NA |
r Gint | Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning |
|
| 1.0 |
| Ω |
C ies | Inmatningskapacitet | V ce =30V, f=1MHz, V Generella =0V |
| 18.2 |
| NF |
C res | Omvänd överföring Kapacitet |
| 0.56 |
| NF | |
Q G | Portavgift | V Generella =15V |
| 1.20 |
| μC |
t D (på ) | Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V Generella =± 15 V, t j =25 O C |
| 213 |
| N |
t r | Uppgångstid |
| 64 |
| N | |
t D (Avstängd ) | Avstängning Fördröjningstider |
| 280 |
| N | |
t F | Hösttid |
| 180 |
| N | |
E på | Tänd Växling Förlust |
| 4.10 |
| MJ | |
E Avstängd | Avstängning Förlust |
| 16.3 |
| MJ | |
t D (på ) | Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V Generella =± 15 V, t j = 125O C |
| 285 |
| N |
t r | Uppgångstid |
| 78 |
| N | |
t D (Avstängd ) | Avstängning Fördröjningstider |
| 363 |
| N | |
t F | Hösttid |
| 278 |
| N | |
E på | Tänd Växling Förlust |
| 7.40 |
| MJ | |
E Avstängd | Avstängning Förlust |
| 23.0 |
| MJ | |
t D (på ) | Tidsfördröjning för på- |
V CC =600V,I C =200A, r G =3.0Ω,V Generella =± 15 V, t j = 150O C |
| 293 |
| N |
t r | Uppgångstid |
| 81 |
| N | |
t D (Avstängd ) | Avstängning Fördröjningstider |
| 374 |
| N | |
t F | Hösttid |
| 327 |
| N | |
E på | Tänd Växling Förlust |
| 8.70 |
| MJ | |
E Avstängd | Avstängning Förlust |
| 25.2 |
| MJ | |
jag SC |
SK-uppgifter | t P ≤ 10 μs, V Generella =15V, t j = 150 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V |
|
800 |
|
A |
Diod Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat
Symbol | Parameter | Testförhållanden | Min. | Typ. | Max. | enhet |
V F | Diod framåt Spänning | jag F =200A,V Generella =0V,T j =25 O C |
| 1.70 | 2.15 |
V |
jag F =200A,V Generella =0V,T j = 125O C |
| 1.65 |
| |||
jag F =200A,V Generella =0V,T j = 150O C |
| 1.65 |
| |||
Q r | Återkrävt avgift | V CC =600V,I F =200A, -di/dt=5500A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15 V, t j =25 O C |
| 17.5 |
| μC |
jag RM | Höjdpunkt omvänd återställningsström |
| 245 |
| A | |
E rec | Omvänd återhämtning energi |
| 8.00 |
| MJ | |
Q r | Återkrävt avgift | V CC =600V,I F =200A, -di/dt=5500A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15 V, t j = 125O C |
| 32.0 |
| μC |
jag RM | Höjdpunkt omvänd återställningsström |
| 260 |
| A | |
E rec | Omvänd återhämtning energi |
| 14.0 |
| MJ | |
Q r | Återkrävt avgift | V CC =600V,I F =200A, -di/dt=5500A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15 V, t j = 150O C |
| 37.5 |
| μC |
jag RM | Höjdpunkt omvänd återställningsström |
| 265 |
| A | |
E rec | Omvänd återhämtning energi |
| 15.3 |
| MJ |
NTC Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat
Symbol | Parameter | Testförhållanden | Min. | Typ. | Max. | enhet |
r 25 | Nominellt motstånd |
|
| 5.0 |
| kΩ |
∆R/R | Avvikelse av r 100 | t C = 100O C,R 100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
P 25 | Effektbegränsning |
|
|
| 20.0 | mW |
B 25/50 | B-värde | r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| k |
Modul Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat
Symbol | Parameter | Min. | Typ. | Max. | enhet |
L ce | Strömavtryck |
| 30 |
| nH |
r CC+EE | Modul blymotstånd Terminal till chip |
| 2.20 |
| mΩ |
r TJC | Förbindelse till fall (per IGB) T) Sammanslagning till fall (per D) jod) |
|
| 0.145 0.243 | K/W |
r ThCH | Hylsa till värmesänk (per IGBT) Högsta värmeeffekt (p) Diod) Hylsa till värmesänk (per Modul) |
| 0.064 0.107 0.02 |
| K/W |
M | Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5 | 3.0 2.5 |
| 6.0 5.0 | N.M |
G | Vikt av Modul |
| 200 |
| G |
Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.
EN
