IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

± 30

V

jag C

Samlarström @ T C =25 O C

@ T C = 85 O C

285

200

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

400

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T = 175 O C

882

W

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

V RRM

Upprepad toppomvänd spänning

1200

V

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

200

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

400

A

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

O C

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =200A,V Generella =15V, t j =25 O C

1.70

2.15

V

jag C =200A,V Generella =15V, t j =125 O C

1.95

jag C =200A,V Generella =15V, t j = 150 O C

2.00

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =8.0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C

5.0

5.9

6.5

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

200

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

2.0

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =30V, f=1MHz,

V Generella =0V

17.0

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.55

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

1.07

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, r G = 1.0Ω,V Generella =± 15 V, t j =25 O C

296

N

t r

Uppgångstid

77

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

391

N

t F

Hösttid

172

N

E på

Tänd Växling

Förlust

4.25

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

16.2

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, r G = 1.0Ω,V Generella =± 15 V, t j = 125O C

272

N

t r

Uppgångstid

79

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

423

N

t F

Hösttid

232

N

E på

Tänd Växling

Förlust

6.45

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

22.6

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, r G = 1.0Ω,V Generella =± 15 V, t j = 150O C

254

N

t r

Uppgångstid

80

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

430

N

t F

Hösttid

280

N

E på

Tänd Växling

Förlust

8.30

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

24.3

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

800

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =200A,V Generella =0V,T j =25 O C

1.70

2.15

V

jag F =200A,V Generella =0V,T j = 125O C

1.65

jag F =200A,V Generella =0V,T j = 150O C

1.65

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella =-15V t j =25 O C

18.5

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

240

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

8.10

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella =-15V t j = 125O C

33.5

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

250

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

14.5

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =200A,

-di/dt=5400A/μs,V Generella =-15V t j = 150O C

38.5

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

260

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

16.0

MJ

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

30

nH

r CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.75

mΩ

r TJC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

Sammanslagning till fall (per D) jod)

0.170

0.280

K/W

r ThCH

Hylsa till värmesänk (per IGBT)

Högsta värmeeffekt (p) Diod)

Hylsa till värmesänk (per Modul)

0.161

0.265

0.050

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6

2.5

3.0

5.0

5.0

N.M

G

Vikt av Modul

150

G