GD200HFL120C8SN, IGBT-modul, STARPOWER

GD200HFL120C8SN,IGBT-modul,STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFL120C8SN

Kort introduktion

IGBT-modul ,tillverkad av STARPOWER. 1200V 200a.

Funktioner

Typiska Tillämpningar

Absolut Maximal Betyg t C =25 ℃ om inte i annat fall Noterat

Symbol	Beskrivning	GD200HFL120C8SN	Enheter
V CES	Kollektor-emitterspänning	1200	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
jag C	Samlarström @ t C =25 ℃ @ T C = 100℃	400 200	A
jag CM	Pulsad samlarström t P =1 ms	400	A
jag F	Diod kontinuerlig framåtström hyra	200	A
jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms	400	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T j =1 75℃	1724	W
t jmax	Maximal temperatur vid korsningen	175	℃
t - Vad?	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +150	℃
t STG	Lagringstemperatur Räckvidd	-40 till +125	℃
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V
Montering Vridmoment	Förstärkning av motorn Monteringsskruv: M5	2,5 till 3.5 2,5 till 3.5	N.M

Elektrisk Egenskaper av IGBT t C =25 ℃ om inte i annat fall Noterat

Avslutade egenskaper

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enheter
V (BR )CES	Samlare-utgivare Bristningsspänning	t j =25 ℃	1200			V
jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 ℃			5.0	mA
jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 ℃			400	NA

Om egenskaper

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enheter
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	jag C =8.0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 ℃	5.0	6.2	7.0	V
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	jag C =200A,V Generella =15V, t j =25 ℃		1.90	2.35	V
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	jag C =200A,V Generella =15V, t j =125 ℃		2.10		V

Omställning av egenskaper

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enheter
t D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =200A, r G = 3,3Ω,V Generella =± 15 V, t j =25 ℃		365		N
t r	Uppgångstid			79		N
t D (Avstängd )	Avstängning Fördröjningstider			396		N
t F	Hösttid			165		N
E på	Tänd Växling Förlust			8.00		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			14.0		MJ
t D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =200A, r G = 3,3Ω,V Generella =± 15 V, t j =125 ℃		372		N
t r	Uppgångstid			83		N
t D (Avstängd )	Avstängning Fördröjningstider			420		N
t F	Hösttid			293		N
E på	Tänd Växling Förlust			11.0		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			22.3		MJ
C ies	Inmatningskapacitet	V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		14.9		NF
C Övriga	Utgångskapacitet			1.04		NF
C res	Omvänd överföring Kapacitet			0.68		NF
jag SC	SK-uppgifter	t P ≤ 10 μs, V Generella =15 V, t j =125 °C, V CC = 900 V, V CEM ≤1200V		1200		A
r Gint	Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning			1.0		Ω
L ce	Strömavtryck				22	nH
r CC+EE	Modulled Motstånd Terminal till chip			0.65		mΩ

Elektrisk Egenskaper av Diod t C =25 ℃ om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden		Min.	Typ.	Max.	Enheter
V F (chip)	Diod framåt Spänning	jag F =200A	t j =25 ℃		1.80	2.25	V
V F (chip)	Diod framåt Spänning	jag F =200A	t j =125 ℃		1.85		V
Q r	Återställd laddning	jag F =200A, V r =600 V, r G = 3,3Ω, V Generella =-15V	t j =25 ℃		17.2		μC
Q r	Återställd laddning		t j =125 ℃		35.3		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström		t j =25 ℃		160		A
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström		t j =125 ℃		213		A
E rec	Omvänd återhämtning energi		t j =25 ℃		11.2		MJ
E rec	Omvänd återhämtning energi		t j =125 ℃		21.2		MJ

Termiska egenskaper ics

Symbol	Parameter	Typ.	Max.	Enheter
r θ JC	Förbindelse till fall (per IGB) T)		0.087	K/W
r θ JC	Sammanslagning till fall (per D) jod)		0.160	K/W
r θ CS	Fält-till-sänk (användning av ledande fett) Ljuger)	0.046		K/W
Vikt	Vikt Modul	200		G