IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

GD200HFL120C2S

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

± 20

V

jag C

Samlarström @ T C = 25℃

@ T C = 100℃

360

A

200

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

400

A

jag F

Diod kontinuerlig framström

200

A

jag FM

Diodens maximala framåtsträcka hyra

400

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 175℃

1364

W

t j

Maximal temperatur vid korsningen

175

℃

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

℃

t STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

℃

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1min

4000

V

Monteringsmoment

Skruv för kraftterminalen:M6

2,5 till 5.0

N.M

Montering Skruv: M6

3,0 till 5.0

N.M

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR )CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25 ℃

1200

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren

Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare

Spänning

jag C =8.0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 ℃

5.0

6.2

7.0

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C =200A,V Generella =15V, t j =25 ℃

1.90

2.35

V

jag C =200A,V Generella =15V, t j = 125℃

2.10

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, r G =5.1Ω,V Generella = ± 15 V, t j =25 ℃

437

N

t r

Uppgångstid

75

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

436

N

t F

Hösttid

165

N

E på

Slå på växling

Förlust

10.0

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

15.0

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =200A, r G =5.1Ω,V Generella = ± 15 V, t j = 125℃

445

N

t r

Uppgångstid

96

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

488

N

t F

Hösttid

258

N

E på

Slå på växling

Förlust

15.9

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

22.3

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

14.9

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

1.04

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

0.68

NF

jag SC

SK-uppgifter

t s C ≤ 10μs,V Generella =15V, t j =125 ℃ ,V CC = 900 V, V CEM ≤ 1200V

1200

A

r Gint

Inre portresis - Självklart.

1.0

Ω

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC + EE ’

Modul blymotstånd ce, Terminal till chip

t C =25 ℃

0.35

M Ω

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F =200A

t j =25 ℃

1.82

2.25

V

t j = 125℃

1.95

Q r

Återkrävt avgift

jag F =200A,

V r = 600 V,

di/dt=-2370A/μs, V Generella - Det är inte sant. 15V

t j =25 ℃

16.6

μC

t j = 125℃

29.2

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

t j =25 ℃

156

A

t j = 125℃

210

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25 ℃

9.3

MJ

t j = 125℃

16.0

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

r θ JC

Sammanslagning till fall (per IG) BT)

0.11

K/W

r θ JC

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

0.14

K/W

r θ CS

Fläckar och skärmar (förlängd)

0.035

K/W

Vikt

Vikt av Modul

300

G