Kort introduktion
IGBT-modul ,tillverkad av STARPOWER. 1200V 200a.
Funktioner
Typiska Tillämpningar
Absolut Maximal Betyg t C =25 ℃ om inte i annat fall Noterat
Symbol | Beskrivning | GD200HFK60C8SN | Enheter |
V CES | Kollektor-emitterspänning | 600 | V |
V GES | Gate-emitter spänning | ±20 | V |
jag C | Samlarström @ t C =25 ℃ @ T C =80 ℃ | 283 200 | A |
jag CM | Pulsad samlarström t P =1 ms | 400 | A |
jag F | Diod kontinuerlig framåtström hyra | 200 | A |
jag FM | Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms | 400 | A |
P D | Maximal effekt Dissipation @ T j =1 50℃ | 714 | W |
t jmax | Maximal temperatur vid korsningen | 150 | ℃ |
t - Vad? | Användningstemperatur vid kryssningsstationen | -40 till +125 | ℃ |
t STG | Lagrings temperaturintervall | -40 till +125 | ℃ |
V ISO | Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min | 2500 | V |
Montering Vridmoment | Förstärkning av motorn Monteringsskruv: M5 | 2,5 till 3.5 2,5 till 3.5 | N.M |
Vikt | Vikt av Modul | 200 | G |
Elektrisk Egenskaper av IGBT t C =25 ℃ om inte i annat fall Noterat
Avslutade egenskaper
Symbol | Parameter | Testförhållanden | Min. | Typ. | Max. | Enheter |
V (BR )CES | Samlare-utgivare Bristningsspänning | t j =25 ℃ | 600 |
|
| V |
jag CES | Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande | V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 ℃ |
|
| 1.0 | mA |
jag GES | Läckage i port-sändaren Nuvarande | V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 ℃ |
|
| 400 | NA |
Om egenskaper
Symbol | Parameter | Testförhållanden | Min. | Typ. | Max. | Enheter |
V Generella (th ) | Gränssnitt för gate-emitterare Spänning | jag C =500μA, V ce = V Generella , t j =25 ℃ | 3.5 | 4.5 | 5.5 | V |
V CE (sat) |
Samlare till emitterare Mätningsspänning | jag C =200A,V Generella =15V, t j =25 ℃ |
| 1.80 | 2.25 |
V |
jag C =200A,V Generella =15V, t j =125 ℃ |
| 2.10 |
|
Omställning av egenskaper
Symbol | Parameter | Testförhållanden | Min. | Typ. | Max. | Enheter |
t D (på ) | Tidsfördröjning för på- |
V CC =300V,I C =200A, r G =6,8Ω,V Generella =± 15 V, t j =25 ℃ |
| 320 |
| N |
t r | Uppgångstid |
| 123 |
| N | |
t D (Avstängd ) | Avstängning Fördröjningstider |
| 318 |
| N | |
t F | Hösttid |
| 90 |
| N | |
E på | Tänd Växling Förlust |
| 2.79 |
| MJ | |
E Avstängd | Avstängning Förlust |
| 5.08 |
| MJ | |
t D (på ) | Tidsfördröjning för på- |
V CC =300V,I C =200A, r G =6,8Ω,V Generella =± 15 V, t j =125 ℃ |
| 339 |
| N |
t r | Uppgångstid |
| 125 |
| N | |
t D (Avstängd ) | Avstängning Fördröjningstider |
| 344 |
| N | |
t F | Hösttid |
| 113 |
| N | |
E på | Tänd Växling Förlust |
| 3.00 |
| MJ | |
E Avstängd | Avstängning Förlust |
| 6.95 |
| MJ | |
C ies | Inmatningskapacitet | V ce =30V, f=1MHz, V Generella =0V |
| 16.9 |
| NF |
C Övriga | Utgångskapacitet |
| 0.88 |
| NF | |
C res | Omvänd överföring Kapacitet |
| 0.42 |
| NF | |
jag SC |
SK-uppgifter | t P ≤ 10 μs, V Generella =15 V, t j =125 °C, V CC =360V, V CEM ≤600V |
|
1800 |
|
A |
Q G | Portavgift | V CC =400V,I C =200A, V Generella =15V |
| 0.72 |
| μC |
r Gint | Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning |
|
| 2.35 |
| Ω |
L ce | Strömavtryck |
|
|
| 22 | nH |
r CC+EE | Modulled Motstånd Terminal till chip |
|
|
0.65 |
| mΩ |
Elektrisk Egenskaper av Diod t C =25 ℃ om inte i annat fall Noterat
Symbol | Parameter | Testförhållanden | Min. | Typ. | Max. | Enheter | |
V F | Diod framåt Spänning | jag F =200A | t j =25 ℃ |
| 1.33 | 1.78 | V |
t j =125 ℃ |
| 1.30 |
| ||||
Q r | Återställd laddning | jag F =200A, V r = 300 V, r G =6,8Ω, V Generella =-15V | t j =25 ℃ |
| 9.3 |
| μC |
t j =125 ℃ |
| 13.2 |
| ||||
jag RM | Höjdpunkt omvänd återställningsström | t j =25 ℃ |
| 112 |
| A | |
t j =125 ℃ |
| 125 |
| ||||
E rec | Omvänd återhämtning energi | t j =25 ℃ |
| 2.09 |
| MJ | |
t j =125 ℃ |
| 3.22 |
| ||||
Termiska egenskaper ics
Symbol | Parameter | Typ. | Max. | Enheter |
r θ JC | Förbindelse till fall (per IGB) T) |
| 0.175 | K/W |
r θ JC | Sammanslagning till fall (per D) jod) |
| 0.317 | K/W |
Vårt professionella säljteam väntar på din konsultation.
Du kan följa deras produktlista och ställa frågor om vad du bryr dig om.
EN
