GD200HFK120C8SN, IGBT-modul, STARPOWER

1200V 200A

Brand:

STARPOWER

Spu:

GD200HFK120C8SN

Kort introduktion

IGBT-modul ,tillverkad av STARPOWER. 1200V 200a.

Funktioner

Typiska Tillämpningar

Absolut Maximal Betyg t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

IGBT

Symbol	Beskrivning	Värden	enhet
V CES	Kollektor-emitterspänning	1200	V
V GES	Gate-emitter spänning	±20	V
jag C	Samlarström @ T C =25 O C @ T C =80 O C	300 200	A
jag CM	Pulsad samlarström t P =1 ms	400	A
P D	Maximal effekt Dissipation @ T j = 150 O C	1157	W

Diod

Symbol	Beskrivning	Värden	enhet
V RRM	Upprepad toppomvänd spänning	1200	V
jag F	Diod kontinuerlig framåtström hyra	200	A
jag FM	Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms	400	A

Modul

Symbol	Beskrivning	Värden	enhet
t jmax	Maximal temperatur vid korsningen	150	O C
t - Vad?	Användningstemperatur vid kryssningsstationen	-40 till +125	O C
t STG	Lagringstemperatur Räckvidd	-40 till +125	O C
V ISO	Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min	2500	V

IGBT Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	enhet
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	jag C =200A,V Generella =15V, t j =25 O C		2.15	2.60	V
V CE (sat)	Samlare till emitterare Mätningsspänning	jag C =200A,V Generella =15V, t j =125 O C		2.65		V
V Generella (th )	Gränssnitt för gate-emitterare Spänning	jag C =2.0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C	4.8	5.7	6.3	V
jag CES	Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande	V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 O C			5.0	mA
jag GES	Läckage i port-sändaren Nuvarande	V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C			400	NA
r Gint	Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning			1.0		Ω
C ies	Inmatningskapacitet	V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		12.9		NF
C res	Omvänd överföring Kapacitet	V ce =25V, f=1MHz, V Generella =0V		0.82		NF
Q G	Portavgift	V Generella - Det är inte sant. 15...+15V		2.05		μC
t D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =200A, r G =5.1Ω,V Generella =± 15 V, t j =25 O C		373		N
t r	Uppgångstid			104		N
t D (Avstängd )	Avstängning Fördröjningstider			459		N
t F	Hösttid			168		N
E på	Tänd Växling Förlust			12.9		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			17.1		MJ
t D (på )	Tidsfördröjning för på-	V CC =600V,I C =200A, r G =5.1Ω,V Generella =± 15 V, t j = 125O C		373		N
t r	Uppgångstid			105		N
t D (Avstängd )	Avstängning Fördröjningstider			475		N
t F	Hösttid			197		N
E på	Tänd Växling Förlust			17.4		MJ
E Avstängd	Avstängning Förlust			23.7		MJ
jag SC	SK-uppgifter	t P ≤ 10 μs, V Generella =15V, t j =125 O C,V CC = 900 V, V CEM ≤1200V		1500		A

Diod Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Testförhållanden	Min.	Typ.	Max.	Enheter
V F	Diod framåt Spänning	jag C =200A,V Generella =0V,T j =25 O C		1.65	2.05	V
V F	Diod framåt Spänning	jag C =200A,V Generella =0V,T j =125 O C		1.65		V
Q r	Återställd laddning	V r =600V,I F =200A, -di/dt=2300A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =25 O C		17.7		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			145		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			8.1		MJ
Q r	Återställd laddning	V r =600V,I F =200A, -di/dt=2300A/μs,V Generella - Det är inte sant. 15V t j =125 O C		34.0		μC
jag RM	Höjdpunkt omvänd återställningsström			190		A
E rec	Omvänd återhämtning energi			16.7		MJ

Modul Egenskaper t C =25 O C om inte i annat fall Noterat

Symbol	Parameter	Min.	Typ.	Max.	enhet
L ce	Strömavtryck			22	nH
r CC+EE	Modulledmotstånd e, Terminal till Chip		0.65		mΩ
r TJC	Förbindelse till fall (per IGB) T) Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)			0.108 0.230	K/W
r ThCH	Hylsa till värmesänk (per IGBT) Kapsling-till-kylfläns (pe r diod) Kapsling-till-kylfläns (per M odul)		0.135 0.288 0.046		K/W
M	Terminalanslutningsmoment Skruv M5 Monteringsmoment Skruv M6	2.5 3.0		5.0 5.0	N.M
G	Vikt av Modul		200		G