IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

GD1200HFT120C3S

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

± 20

V

jag C

@ T C =25 ℃

@ T C =80 ℃

1800

A

1200

jag CM (1)

Pulsad samlarström t P = 1 ms

2400

A

jag F

Diod kontinuerlig framström

1200

A

jag FM

Diodens maximala framåtsträcka hyra

2400

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j = 150℃

5.2

kW

t j

Maximal temperatur vid korsningen

150

℃

t STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

℃

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1min

2500

V

Montering

Signalterminal Skruv:M4

Effektterminal Skruv:M8

1.8 till 2.1

8.0 till 10

N.M

Vridmoment

Montering Skruv: M6

4.25 till 5.75

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR )CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25 ℃

1200

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V,

t j =25 ℃

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren

Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V,

t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare

Spänning

jag C = 48 mA ,V ce = V Generella , t j =25 ℃

5.0

5.8

6.5

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 1200A,V Generella =15V, t j =25 ℃

1.70

2.15

V

jag C = 1200A,V Generella =15V, t j = 125℃

2.00

2.45

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

Q G

Portavgift

V Generella - Det är inte sant. 15...+15V

11.5

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =1200A,

r Gon =2.4Ω,

r Goff =0.82Ω,

V Generella = ± 15V,T j =25 ℃

600

N

t r

Uppgångstid

230

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

820

N

t F

Hösttid

150

N

E på

Tänd Förlust vid byte

/

MJ

E Avstängd

Avstängningsswitchförlust

/

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =1200A,

r Gon =2.4Ω,

r Goff =0.82Ω,

V Generella = ± 15V,T j = 125℃

660

N

t r

Uppgångstid

220

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

960

N

t F

Hösttid

180

N

E på

Tänd Förlust vid byte

246

MJ

E Avstängd

Avstängningsswitchförlust

191

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

86.1

NF

C Övriga

Utgångskapacitet

4.50

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

3.90

NF

jag SC

SK-uppgifter

t s C ≤ 10μs,V Generella =15V, t j =125 ℃ ,V CC = 900 V,

V CEM ≤ 1200V

4800

A

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC + EE ’

Modulledmotstånd e, Terminal till chip

t C =25 ℃

0.18

M Ω

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F = 1200A

t j =25 ℃

1.65

2.15

V

t j = 125℃

1.65

2.15

Q r

Diod omvänd

återställningsladdning

jag F = 1200A,

V r =600 V,

r Gon =2.4Ω,

V Generella - Det är inte sant. 15V

t j =25 ℃

69

μC

t j = 125℃

129

jag RM

Diodspik

Omvänd återhämtning Nuvarande

t j =25 ℃

485

A

t j = 125℃

623

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25 ℃

32

MJ

t j = 125℃

60

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

r θ JC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

24

K/kW

r θ JC

Sammanslagning till förpackning (per Di) (s.d.)

43

K/kW

r θ CS

Kapsling till kylare

(Ledande fett applicerat, per Modul)

6

K/kW

Vikt

Vikt av Modul

1500

G