IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

GD1200HFL120C3S

Enheter

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag C

Samlarström @ t C =25 ℃

@ T C = 100℃

1900

1200

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

2400

A

jag F

Diod kontinuerlig framåtström hyra

1200

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

2400

A

P D

Maximal effekt Dissipation @ T j =1 75℃

6.41

kW

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

℃

t - Vad?

Maximal temperatur vid korsningen

-40 till +150

℃

t STG

Lagringstemperatur Räckvidd

-40 till +125

℃

V ISO

Isolationsspänning RMS,f=50Hz,t=1 min

4000

V

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M4

1.8 till 2.1

Terminalanslutningsmoment Skruv M8

8.0 till 10

N.M

Monteringsmoment Skruv M6

4,25 till 5,75

G

Vikt av Modul

1500

G

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V (BR )CES

Samlare-utgivare

Bristningsspänning

t j =25 ℃

1200

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd

Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 ℃

5.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 ℃

400

NA

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C =48.0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 ℃

5.4

7.4

V

V CE (sat)

Samlare till emitterare

Mätningsspänning

jag C = 1200A,V Generella =15V, t j =25 ℃

1.95

2.40

V

jag C = 1200A,V Generella =15V, t j =125 ℃

2.10

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 1200A, r Gon =2. 1Ω,R Goff =4.5Ω, V Generella =±15 V,T j =25 ℃

200

N

t r

Uppgångstid

135

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

1050

N

t F

Hösttid

130

N

E på

Tänd Växling

Förlust

136

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

160

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C = 1200A, r Gon =2. 1Ω,R Goff =4.5Ω, V Generella =±15 V,T j = 125℃

220

N

t r

Uppgångstid

190

N

t D (Avstängd )

Avstängning Fördröjningstider

1150

N

t F

Hösttid

140

N

E på

Tänd Växling

Förlust

184

MJ

E Avstängd

Avstängning

Förlust

208

MJ

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=1MHz,

V Generella =0V

84.8

NF

C res

Omvänd överföring

Kapacitet

3.76

NF

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤ 10 μs, V Generella =15 V,

t j =125 °C, V CC = 900 V, V CEM ≤1200V

4500

A

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

2.7

Ω

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC+EE

Modulled

Motstånd

Terminal till chip

0.18

mΩ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt

Spänning

jag F = 1200A

t j =25 ℃

1.65

2.20

V

t j =125 ℃

1.75

Q r

Återställd

laddning

jag F = 1200A,

V r =600 V,

r Gon =2. 1Ω,

V Generella =-15V

t j =25 ℃

400

μC

t j =125 ℃

680

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

t j =25 ℃

1400

A

t j =125 ℃

1840

E rec

Omvänd återhämtning energi

t j =25 ℃

160

MJ

t j =125 ℃

296

Symbol

Parameter

Typ.

Max.

Enheter

r θ JC

Förbindelse till fall (per IGB) T)

23.4

K/kW

r θ JC

Sammanslagning till fall (per D) jod)

46.1

K/kW

r θ CS

Fält-till-sänk (användning av ledande fett) Ljuger)

6

K/kW