IGBT-modul 1200V

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V CES

Kollektor-emitterspänning

1200

V

V GES

Gate-emitter spänning

±20

V

jag CN

Implementerad samlare Cu Rent

1000

A

jag C

Samlarström @ T F =75 O C

765

A

jag CM

Pulsad samlarström t P =1 ms

2000

A

P D

Maximal effektförlust ation @ t F =75 O C ,t j = 175 O C

1515

W

Symbol

Beskrivning

Värden

enhet

V RRM

Upprepad topp omvänd volt Ålder

1200

V

jag FN

Implementerad samlare Cu Rent

1000

A

jag F

Diod Kontinuerlig Framåt Cu Rent

765

A

jag FM

Diodens maximala framåtriktade ström t P =1 ms

2000

A

jag FSM

Överspännings framåtström t P =10ms @ t j =25 O C @T j =150C

4100

3000

A

jag 2t

jag 2T-värde, t P =10ms@T j =25C @T j =150C

84000

45000

A 2s

Symbol

Beskrivning

värde

enhet

t jmax

Maximal temperatur vid korsningen

175

O C

t - Vad?

Användningstemperatur vid kryssningsstationen

-40 till +150

O C

t STG

Lagrings temperaturintervall

-40 till +125

O C

V ISO

Isoleringsspänning RMS,f=50Hz,t= 1 minut.

2500

V

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

V CE (sat)

Samlare till emitterare Mätningsspänning

jag C =1000A,V Generella =15V, t j =25 O C

1.45

1.90

V

jag C =1000A,V Generella =15V, t j =125 O C

1.65

jag C =1000A,V Generella =15V, t j = 175 O C

1.80

V Generella (th )

Gränssnitt för gate-emitterare Spänning

jag C = 24,0 mA ,V ce = V Generella , t j =25 O C

5.5

6.3

7.0

V

jag CES

Samlar Avbrott -Avstängd Nuvarande

V ce = V CES ,V Generella =0V, t j =25 O C

1.0

mA

jag GES

Läckage i port-sändaren Nuvarande

V Generella = V GES ,V ce =0V, t j =25 O C

400

NA

r Gint

Inre portmotstånd Förhandsbeskrivning

0.5

Ω

C ies

Inmatningskapacitet

V ce =25V, f=100kHz, V Generella =0V

51.5

NF

C res

Omvänd överföring Kapacitet

0.36

NF

Q G

Portavgift

V Generella =-15…+15V

13.6

μC

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =900A, r G = 0,51Ω, L s = 40nH, V Generella =-8V/+15V,

t j =25 O C

330

N

t r

Uppgångstid

140

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

842

N

t F

Hösttid

84

N

E på

Tänd Växling Förlust

144

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

87.8

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =900A, r G = 0,51Ω, L s = 40nH, V Generella =-8V/+15V,

t j =125 O C

373

N

t r

Uppgångstid

155

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

915

N

t F

Hösttid

135

N

E på

Tänd Växling Förlust

186

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

104

MJ

t D (på )

Tidsfördröjning för på-

V CC =600V,I C =900A, r G = 0,51Ω, L s = 40nH, V Generella =-8V/+15V,

t j = 175 O C

390

N

t r

Uppgångstid

172

N

t d(off)

Avstängning Fördröjningstider

950

N

t F

Hösttid

162

N

E på

Tänd Växling Förlust

209

MJ

E Avstängd

Avstängning Förlust

114

MJ

jag SC

SK-uppgifter

t P ≤8μs, V Generella =15V,

t j = 150 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

3200

A

t P ≤6μs, V Generella =15V,

t j = 175 O C,V CC =800V, V CEM ≤ 1200V

3000

A

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

Enheter

V F

Diod framåt Spänning

jag F =1000A,V Generella =0V,T j = 25O C

1.60

2.05

V

jag F =1000A,V Generella =0V,T j =125 O C

1.70

jag F =1000A,V Generella =0V,T j = 175 O C

1.60

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=4930A/μs,V Generella = 8 V, L s =40 nH ,t j =25 O C

91.0

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

441

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

26.3

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=4440A/μs,V Generella = 8 V, L s =40 nH ,t j =125 O C

141

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

493

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

42.5

MJ

Q r

Återkrävt avgift

V r =600V,I F =900A,

-di/dt=4160A/μs,V Generella = 8 V, L s =40 nH ,t j = 175 O C

174

μC

jag RM

Höjdpunkt omvänd

återställningsström

536

A

E rec

Omvänd återhämtning energi

52.4

MJ

Symbol

Parameter

Testförhållanden

Min.

Typ.

Max.

enhet

r 25

Nominellt motstånd

5.0

kΩ

∆R/R

Avvikelse av r 100

t C =100 O C ,R 100=493.3Ω

-5

5

%

P 25

Ström

Dissipation

20.0

mW

B 25/50

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/50 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3375

k

B 25/80

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/80 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3411

k

B 25/100

B-värde

r 2=R 25exp [B 25/100 (1/T 2- 1/(298.15K))]

3433

k

Symbol

Parameter

Min.

Typ.

Max.

enhet

L ce

Strömavtryck

20

nH

r CC+EE

Modul blymotstånd, terminal till chip

0.80

mΩ

r thJF

Tvättpunkt -till -Kylning Vätska (perIGBT )Junction-till-kylvätska (per Di (s.d.) △ V/ △ t=10.0 dm 3/min ,t F =75 O C

0.066 0.092

K/W

M

Terminalanslutningsmoment Skruv M6 Monteringsmoment Skruv M5

3.0 3.0

6.0 6.0

N.M

G

Vikt av Modul

400

G