Модуль IGBT 1700В

(Символ)

 (Параметр)

(Условия испытаний)

 (значение)

(Единица)

VCES

Напряжение коллектор-эмиттер

V GE = 0V,Tvj = 25°C

1700

v

V GES

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

I C

Ток коллектор-эмиттер

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

2400

A

I C(PK)

Пиковый коллекторный ток

tP = 1ms

4800

A

P max

Макс. потеря мощности транзистора

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

19.2

КВ

I 2t

 Диод I2t

VR =0V, t P  = 10ms, Tvj = 150 °C

1170

kA2s

Visol

Напряжение изоляции – на модуль

 ( Общие выводы к основанию),

AC RMS,1 мин, 50Hz

4000

v

Q PD

Частичное разряд – на модуль

IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS

10

pc

Tcase = 25 °C  T case  = 25°C, если не указано иное

(Символ)

 (Параметр)

(Условия испытаний)

(мин)

 (Тип)

 (Макс)

 (Ед.)

I CES

Ток отсечения коллектора

V GE = 0V, VCE  = VCES

1

Мамочка

V GE = 0V, VCE  = VCES , T case =125 °C

40

Мамочка

V GE = 0V, VCE  = VCES , T case =150 °C

60

Мамочка

I GES

Ток утечки затвора

V GE = ±20V, VCE  = 0V

1

μA

V GE (TH)

Напряжение порога затвора

I C = 80mA, V GE  = VCE

5.0

6.0

7.0

v

VCE (sat)(*1)

 Насыщение коллектор-эмиттер

напряжение

VGE =15V, IC = 2400A

1.75

v

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 125 °C

1.95

v

VGE =15V, IC = 2400A,Tvj = 150 °C

2.05

v

I F

Диодный прямой ток

dc

2400

A

I FRM

Максимальный проходный ток диоды

t P = 1мс

4800

A

VF(*1)

Прямое напряжение диода

IF = 2400А

1.65

v

IF = 2400А, Tvj = 125 °C

1.75

v

IF = 2400А, Tvj = 150 °C

1.75

v

- Да, конечно.

Входной пропускной способностью

VCE = 25В, V GE  = 0В, f = 1МГц

400

НФ

Главный офис

 Заряд затвора

± 15 В

19

μC

Крес

Капацитет обратной передачи

VCE = 25В, V GE  = 0В, f = 1МГц

3

НФ

L M

Индуктивность модуля

10

НН

R INT

Сопротивление внутреннего транзистора

110

μΩ

I SC

Ток короткого замыкания, ISC

Tvj = 150°C, V CC = 1000В, V GE ≤15В, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L (*2) ×di/dt, IEC 6074-9

12000

A

td(off)

Время задержки выключения

I C = 2400А

VCE = 900В

L S  ~ 50нГ

V GE = ±15В

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2320

NS

t f

Время спада

500

NS

E OFF

Потеря энергии при выключении

1050

МГ

td(on)

Время задержки включения

450

NS

tr

Время нарастания

210

NS

EON

Потеря энергии при включении

410

МГ

Qrr

Заряд обратного восстановления диода

I F = 2400А

VCE = 900В

diF/dt =10000А/мкс

480

μC

I rr

Ток обратного восстановления диода

1000

A

Erec

Энергия обратного восстановления диода

320

МГ

td(off)

Время задержки выключения

I C = 2400А

VCE = 900В

L S  ~ 50нГ

V GE = ±15В

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

NS

t f

Время спада

510

NS

E OFF

Потеря энергии при выключении

1320

МГ

td(on)

Время задержки включения

450

NS

tr

Время нарастания

220

NS

EON

Потеря энергии при включении

660

МГ

Qrr

Заряд обратного восстановления диода

I F = 2400А

VCE = 900В

diF/dt =10000А/мкс

750

μC

I rr

Ток обратного восстановления диода

1200

A

Erec

Энергия обратного восстановления диода

550

МГ

td(off)

Время задержки выключения

I C = 2400А

VCE = 900В

L S  ~ 50нГ

V GE = ±15В

R G(ON) = 0.5Ω

R G(OFF)= 0.5Ω

2340

NS

t f

Время спада

510

NS

E OFF

Потеря энергии при выключении

1400

МГ

td(on)

Время задержки включения

450

NS

tr

 Время нарастания

220

NS

EON

Потеря энергии при включении

820

МГ

Qrr

Заряд обратного восстановления диода

I F = 2400А

VCE = 900В

diF/dt =12000А/мкс

820

μC

I rr

Ток обратного восстановления диода

1250

A

Erec

Энергия обратного восстановления диода

620

МГ