Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

GD1200SGT120A3S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Коллектор текущий @tc=25°C

@ Tc=80°C

2100

1200

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

2400

A

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

1200

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

2400

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj= 175°C

7.61

КВ

tjmax

Максимальная температура стыка

175

°C

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

°C

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

2500

v

монтаж крутящий момент

Свинцовый конец сигнального устройства:M4

1.8 до 2.1

Свинцовый конец питания:M8

8,0 до 10

n.m.

Монографный винт:M6

4,25 - 5,75

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(б)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=48Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 1200А,ВGE=15В, tj=25°C

1.70

2.15

v

Яc= 1200А,ВGE=15В, tj=125°C

2.00

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=1200A,

rГон=1,8Ω,rГофф= 0,62Ω,vGE=±15В,Тj=25°C

550

NS

tr

Время нарастания

230

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

830

NS

tf

Время спада

160

NS

eна

Включить переход потеря

/

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

/

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic= 1200А,- Что?

rГон= 1,8Ω,RГофф= 0,62Ω,vGE=±15В,Тj=125°C

650

NS

tr

Время нарастания

240

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

970

NS

tf

Время спада

190

NS

eна

Включить переход потеря

246

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

189

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

85.5

НФ

c- Да.

Выходной объем

4.48

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

3.87

НФ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15 v,

tj=125°C,

vСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

4800

A

rГинт

Внутренний затвор

сопротивление

1.9

О

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

15

НН

rCC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.10

mΩ

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 1200а

tj=25°C

1.65

2.05

v

tj=125°C

1.65

qr

Восстановлено

заряд

Яf= 1200А,

vr=600 В,

rГон= 0,6Ω,

vGE= 15 В

tj=25°C

112

μC

tj=125°C

224

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

tj=25°C

850

A

tj=125°C

1070

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

tj=25°C

48.0

МГ

tj=125°C

96.0

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

19.7

К/кВт

rθД.К.

Соединение с корпусом (на D)йода)

31.3

К/кВт

rθcs

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников)ложь)

8

К/кВт

вес

вес- Что?модуль

1050

g