Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

GD2400SGT120C4S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Коллектор текущий @tc=25°C

@ Tc= 100°C

3800

2400

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

4800

A

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

2400

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

4800

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj= 175°C

12.9

КВ

tjmax

Максимальная температура стыка

175

°C

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

°C

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

°C

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

3400

v

монтаж крутящий момент

Свинцовый конец сигнального устройства:M4

1.8 до 2.1

Свинцовый конец питания:M8

8,0 до 10

n.m.

Монографный винт:M6

4,25 - 5,75

вес

Вес модуль

2300

g

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(б)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=96Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25°C

5.0

5.8

6.5

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 2400A,VGE=15В, tj=25°C

1.70

2.15

v

Яc= 2400A,VGE=15В, tj=125°C

2.00

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic= 2400A, rГон= 1,2Ω,

rГофф= 0,3Ω,

vGE=±15В,Тj=25°C

600

NS

tr

Время нарастания

215

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

810

NS

tf

Время спада

145

NS

eна

Включить переход

потеря

/

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

/

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic= 2400A, rГон= 1,2Ω,

rГофф= 0,3Ω,

vGE=±15В,Тj= 125°C

695

NS

tr

Время нарастания

235

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

970

NS

tf

Время спада

182

NS

eна

Включить переход

потеря

488

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

382

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

173

НФ

c- Да.

Выходной объем

9.05

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

7.85

НФ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15 v,

tj=125°C,vСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

9600

A

qg

Сбор за вход

vСк.= 600 В,Ic= 2400A, vGE=-15 - Что?+15В

23.0

μC

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

0.42

О

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

10

НН

rCC+EE

Модуль свинцовый

Сопротивление,

Терминал на чип

0.12

mΩ

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 2400A

vGE=0В

tj=25°C

1.65

2.05

v

tj=125°C

1.65

qr

Восстановлено

заряд

Яf= 2400A,

vr=600 В,

rГон= 0,3Ω,

vGE= 15 В

tj=25°C

240

μC

tj=125°C

460

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

tj=25°C

1650

A

tj=125°C

2150

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

tj=25°C

/

МГ

tj=125°C

208

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

11.6

К/кВт

rθД.К.

Соединение с корпусом (на D)йода)

19.7

К/кВт

rθcs

Складка-на-мыло (приложение жиров-проводников)ложь)

4

К/кВт