Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

ценности

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=90oc

900

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

1800

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc

3409

w

Символ

описание

ценности

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжениевозраст

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

900

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

1800

A

ЯФСМ

Импульсный прямой ток  tp=10ms  @tj=25oc- Что?@ Tj=150oc

4100

3000

A

Я2t

Я2t-значение,tp=10ms  @ Tj=25oc

@ Tj=150oc

84000

45000

A2С

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

oc

vИзо

Напряжение изоляции  RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc=900A,VGE=15В, tj=25oc

1.40

1.85

v

Яc=900A,VGE=15В, tj=125oc

1.60

Яc=900A,VGE=15В, tj=175oc

1.65

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=24.0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc

5.5

6.3

7.0

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

0.5

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25V,f=100kHz, vGE=0В

51.5

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

0.36

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

13.6

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=900A,  rg=0.51Ω, LС=40nH, vGE=-8V/+15V,

tj=25oc

330

NS

tr

Время нарастания

140

NS

td(off)

Выключение время задержки

842

NS

tf

Время спада

84

NS

eна

Включить переход

потеря

144

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

87.8

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=900A,  rg=0.51Ω, LС=40nH, vGE=-8V/+15V,

tj=125oc

373

NS

tr

Время нарастания

155

NS

td(off)

Выключение время задержки

915

NS

tf

Время спада

135

NS

eна

Включить переход

потеря

186

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

104

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=900A,  rg=0.51Ω, LС=40nH, vGE=-8V/+15V,

tj=175oc

390

NS

tr

Время нарастания

172

NS

td(off)

Выключение время задержки

950

NS

tf

Время спада

162

NS

eна

Включить переход

потеря

209

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

114

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤8μs,VGE=15В,

tj=150oC,VСк.=800V, vСМК ≤1200 В

3200

A

tp≤6μs,VGE=15В,

tj=175oC,VСк.=800V, vСМК ≤1200 В

3000

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=900A,VGE=0V,Tj=25oc

1.55

2.00

v

Яf=900A,VGE=0V,Tj= 125oc

1.65

Яf=900A,VGE=0V,Tj= 175oc

1.55

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=900A,

-di/dt=4930A/μs,VGE=-8V,Я...С=40НН- Да.tj=25oc

91.0

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

441

A

erec

Обратное восстановление энергетики

26.3

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=900A,

-di/dt=4440A/μs,VGE=-8V,Я...С=40НН- Да.tj=125oc

141

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

493

A

erec

Обратное восстановление энергетики

42.5

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=900A,

-di/dt=4160A/μs,VGE=-8V,Я...С=40НН- Да.tj=175oc

174

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

536

A

erec

Обратное восстановление энергетики

52.4

МГ

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

r25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из r100

tc=100 oc,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

Энергия

рассеивание

20.0

МВ

b25/50

B-значение

r2=R25Эксп[B25/50(1/T2-

1/(298.15K))]

3375

K

b25/80

B-значение

r2=R25Эксп[B25/80(1/T2-

1/(298.15K))]

3411

K

b25/100

B-значение

r2=R25Эксп[B25/100(1/T2-

1/(298.15K))]

3433

K

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу

0.80

mΩ

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на Di)(оде)

0.044

0.076

K/W

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Кассе-на-теплоотводы (pe)r Диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

0.028

0.049

0.009

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, винт м6 Крутящий момент установки, Винт M5

3.0

3.0

6.0

6.0

n.m.

g

вес из модуль

350

g