YMIF1000-33, IGBT модуль, 3300В 1000A

YMIF1000-33,IGBT Модуль,3300V 1000A

IGBT Модуль，3300V 1000A

Brand:

CRRC

Spu:

YMIF1000-33

ключ параметры

Типичные приложения

Типичные приложения

Абсолютный максимальный рейтинг

(Символ)	(Параметр)	(Условия испытаний)	(значение)	(Ед.)
VCES	Напряжение коллектор-эмиттер	VGE = 0V, TC= 25 °C	3300	v
VGES	Напряжение затвор-эмиттер	TC= 25 °C	± 20	v
I C	Ток коллектор-эмиттер	TC = 95 °C	1000	A
IC(PK)	Пиковый коллекторный ток	t P= 1ms	2000	A
P max	Максимальная мощность рассеяния транзистора	Tvj = 150°C, TC = 25 °C	10.4	КВ
I 2t	Диод I2t	VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 150 °C	320	kA2s
Visol	Напряжение изоляции – на модуль	Общие выводы к основанию), AC RMS,1 мин, 50Hz,TC= 25 °C	6000	v
Q PD	Частичное разряд – на модуль	IEC1287. V 1 = 3500V, V 2 = 2600V, 50Hz RMS, TC= 25 °C	10	pc

Электрические характеристики

(Символ)		(Параметр)	(Условия испытаний)	(мин)	(тип)	(максимум)	(Единица)
I CES		Ток отсечения коллектора	VGE = 0V,VCE = VCES			1	Мамочка
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 125 ° C			60	Мамочка
			VGE = 0V, VCE = VCES , TC= 150 ° C			100	Мамочка
I GES		Ток утечки затвора	VGE = ±20V, VCE = 0V			1	μA
VGE (TH)		Напряжение порога затвора	I C= 80mA, VGE= VCE	5.50	6.10	7.00	v
VCE	(*1) (св.)	Насыщение коллектор-эмиттер напряжение	VGE= 15V, I C= 1000A		2.40	2.90	v
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 125 ° C		2.95	3.40	v
			VGE= 15V, I C= 1000A,Tvj = 150 ° C		3.10	3.60	v
I F		Диодный прямой ток	dc		1000		A
I FRM		Максимальный проходный ток диоды	t P = 1ms		2000		A
VF(*1)		Прямое напряжение диода	I F= 1000A		2.10	2.60	v
			I F= 1000A, Tvj= 125 ° C		2.25	2.70	v
			I F= 1000A, Tvj= 150 ° C		2.25	2.70	v
C ies		Входной пропускной способностью	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz		170		НФ
Q g		Сбор за вход	± 15 В		17		μC
C res		Капацитет обратной передачи	VCE= 25V, VGE= 0V, f = 1MHz		4		НФ
L M		Индуктивность модуля			15		НН
R INT		Сопротивление внутреннего транзистора			165		μΩ
I SC		Ток короткого замыкания, ISC	Tvj = 150° C, VCC = 2500V, VGE≤15V, tp≤10μs, VCE(макс) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9		3900		A

td(off)	Время задержки выключения	I C =1000A VCE =1800В C GE = 220нФ L ~ 150нГ VGE = ±15В RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	1800	NS
t f	Время спада		530	NS
E OFF	Потеря энергии при выключении		1600	МГ
td(on)	Время задержки включения		680	NS
t r	Время нарастания		320	NS
EON	Потеря энергии при включении		1240	МГ
Q rr	Заряд обратного восстановления диода	I F =1000A VCE =1800В diF/dt =3300A/мкс	780	μC
I rr	Ток обратного восстановления диода		810	A
E rec	Энергия обратного восстановления диода		980	МГ
td(off)	Время задержки выключения	I C =1000A VCE =1800В C GE = 220нФ L ~ 150нГ VGE = ±15В RG(ON) = 1.5Ω RG(OFF)= 2.2Ω	1940	NS
t f	Время спада		580	NS
E OFF	Потеря энергии при выключении		1950	МГ
td(on)	Время задержки включения		660	NS
t r	Время нарастания		340	NS
EON	Потеря энергии при включении		1600	МГ
Q rr	Заряд обратного восстановления диода	I F =1000A VCE =1800В diF/dt =3300A/мкс	1200	μC
I rr	Ток обратного восстановления диода	I F =1000A VCE =1800В diF/dt =3300A/мкс	930	A