Модуль IGBT 3300V

Символ

Параметр

Условия испытаний

стоимость

единица

VCES

Напряжение коллектор-эмиттер

VGE = 0V, TC= 25 °C

3300

v

VGES

Напряжение затвор-эмиттер

TC= 25 °C

± 20

v

- Да.

Ток коллектор-эмиттер

TC = 100 °C

250

A

IC(PK)

Пиковый коллекторный ток

tP=1ms

500

A

Pmax

Максимальная мощность рассеяния транзистора

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

2.6

КВ

I2t

Диод I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

20

kA2s

Visol

Напряжение изоляции - на модуль

 ( Общие выводы к основанию),   AC RMS,1 мин, 50Hz, TC= 25 °C

6

Кв

QPD

Частичное разряд - на модуль

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pc

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

ICES

Ток отсечения коллектора

VGE = 0V,VCE  = VCES

1

Мамочка

VGE = 0V, VCE  = VCES, TC=125 °C

15

Мамочка

VGE = 0V, VCE  = VCES, TC=150 °C

25

Мамочка

IGES

Ток утечки затвора

VGE = ±20V, VCE  = 0V

1

μA

VGE (TH)

Напряжение порога затвора

IC = 20mA, VGE  = VCE

5.5

6.1

7.0

v

VCE (sat)(*1)

Насыщение коллектор-эмиттер напряжение

VGE =15V, IC = 250A

2.50

2.80

v

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

v

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

v

если

Диодный прямой ток

dc

250

A

IFRM

 Пиковый прямой ток диода

tP = 1ms

500

A

VF(*1)

Прямое напряжение диода

IF = 250A, VGE  = 0

2.10

2.40

v

IF = 250A, VGE  = 0, Tvj  = 125 °C

2.25

2.55

v

IF = 250A, VGE  = 0, Tvj  = 150 °C

2.25

2.55

v

Иск

Короткое замыкание

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

A

ICES

Ток отсечения коллектора

VGE = 0V,VCE  = VCES

1

Мамочка

VGE = 0V, VCE  = VCES, TC=125 °C

15

Мамочка

VGE = 0V, VCE  = VCES, TC=150 °C

25

Мамочка

IGES

Ток утечки затвора

VGE = ±20V, VCE  = 0V

1

μA

VGE (TH)

Напряжение порога затвора

IC = 20mA, VGE  = VCE

5.5

6.1

7.0

v

VCE (sat)(*1)

Насыщение коллектор-эмиттер

напряжение

VGE =15V, IC = 250A

2.50

2.80

v

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.15

3.45

v

VGE =15V, IC = 250A, Tvj = 125 °C

3.30

3.60

v

если

 Прямой ток диода

dc

250

A

IFRM

  Пиковый прямой ток диода

tP = 1ms

500

A

VF(*1)

Прямое напряжение диода

IF = 250A, VGE  = 0

2.10

2.40

v

IF = 250A, VGE  = 0, Tvj  = 125 °C

2.25

2.55

v

IF = 250A, VGE  = 0, Tvj  = 150 °C

2.25

2.55

v

Иск

Короткое замыкание

Tvj = 150°C, VCC = 2500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

900

A

td(off)

Время задержки выключения

Яc =250A,

vCE = 1800V,- Что?vGE =  ±15V,- Что?rG(OFF) = 9.0Ω - Да. cGE = 56nF,

Я...С = 150nH,

tvj= 25 °c

1480

NS

tvj= 125 °c

1550

tvj= 150 °c

1570

tf

Время спада

tvj= 25 °c

1280

NS

tvj= 125 °c

1920

tvj= 150 °c

2120

eвыключенный

Потеря энергии при выключении

tvj= 25 °c

300

МГ

tvj= 125 °c

380

tvj= 150 °c

400

td(on)

Время задержки включения

Яc =250A,

vCE = 1800V,  vGE =  ±15V,  rG(ON) = 6.0Ω - Да. cGE = 56nF,

Я...С = 150nH,

tvj= 25 °c

640

NS

tvj= 125 °c

650

tvj= 150 °c

650

tr

Время нарастания

tvj= 25 °c

220

NS

tvj= 125 °c

235

tvj= 150 °c

238

eна

Энергия включения потеря

tvj= 25 °c

395

МГ

tvj= 125 °c

510

tvj= 150 °c

565

qРР

Диод задом наперёд

Заряд восстановления

Яf =250A,

vCE = 1800V,

- dЯf/dt = 1200A/us, (tvj= 125 °c).

tvj= 25 °c

190

μC

tvj= 125 °c

295

tvj= 150 °c

335

ЯРР

Диод задом наперёд

Ток восстановления

tvj= 25 °c

185

A

tvj= 125 °c

210

tvj= 150 °c

216

erec

Диод задом наперёд

Энергия восстановления

tvj= 25 °c

223

МГ

tvj= 125 °c

360

tvj= 150 °c

410