YMIBD800-17,TIM800DDM17-PSA011,IGBT Модуль,1700V 800A

Модуль IGBT 1700В

YMIBD800-17,TIM800DDM17-PSA011,IGBT Модуль,1700V 800A

Модуль IGBT 1700V 800A

Brand:

CRRC

Spu:

YMIBD800-17 / TIM800DDM17-PSA011

Введение
Очертание

Введение

ключ параметры

vCES	1700		v
vCE(сидел)	(тип)	2.30	v
Яc	(максимум)	800	A
ЯC ((RM)	(максимум)	1600	A

типичный Приложения

Тяговые приводы
Контроллеры двигателей
ветер Энергия
высокий Надежность Инвертор

Особенности

AlSiC основы
Айн субстраты
высокий тепловая езда на велосипеде способность
10μС Недолго Круг Выдержи.
низкий vCE(сидел) устройство
высокий текущий плотность

Абсолютное максимальный рейтинговый рейтинг

(Символ)	(Параметр)	(Условия испытаний)	(значение)	(Единица)
VCES	Напряжение коллектор-эмиттер	V GE = 0V, TC= 25。c	1700	v
V GES	Напряжение затвор-эмиттер	TC= 25。c	± 20	v
I C	Ток коллектор-эмиттер	TC = 80。c	800	A
I C(PK)	Пиковый коллекторный ток	t P=1ms	1600	A
P max	Максимальная мощность рассеяния транзистора	Tvj = 150。C, TC = 25。c	6.94	КВ
I 2t	Диод I 2t	VR =0V, t P = 10ms, Tvj = 125。c	120	kA2s
Visol	Напряжение изоляции – на модуль	(Общие терминалы к основанию), AC RMS,1 мин, 50Hz,TC= 25。c	4000	v
Q PD	Частичное разряд – на модуль	IEC1287. V 1 = 1800V, V2 = 1300V, 50Hz RMS, TC= 25。c	10	pc

Электрические характеристики

(Символ)	(Параметр)	(Условия испытаний)	(минуты)	(тип)	(Максимальное)	(единица)
I CES	Ток отсечения коллектора	V GE = 0V,VCE = VCES			1	Мамочка
I CES	Ток отсечения коллектора	V GE = 0V, VCE = VCES , TC=125 ° C			25	Мамочка
I GES	Ток утечки затвора	V GE = ±20V, VCE = 0V			4	μA
V GE (TH)	Напряжение порога затвора	I C = 40mA, V GE = VCE	5.00	5.70	6.50	v
VCE (sat)(*1)	Напряжение насыщения коллектора-эмиттера	V GE =15V, I C = 800A		2.30	2.60	v
VCE (sat)(*1)	Напряжение насыщения коллектора-эмиттера	V GE =15V, I C = 800A,Tvj = 125 ° C		2.80	3.10	v
I F	Диодный прямой ток	直流dc			800	A
I FRM	Максимальный проходный ток диоды	t P = 1мс			1600	A
VF(*1)	Прямое напряжение диода	I F = 800A		1.70	2.00	v
VF(*1)	Прямое напряжение диода	I F = 800A, Tvj = 125 ° C		1.80	2.10	v
C ies	Входной пропускной способностью	VCE = 25В, V GE = 0В, f = 1МГц		60		НФ
Q g	Сбор за вход	± 15 В		9		μC
C res	Капацитет обратной передачи	VCE = 25В, V GE = 0В, f = 1МГц		-		НФ
L M	Индуктивность модуля			20		НН
R INT	Сопротивление внутреннего транзистора			270		μΩ
I SC	Ток короткого замыкания, ISC	Tvj = 125° C, VCC = 1000V, V GE ≤15V, tp ≤10μs, VCE(max) = VCES – L (*2)×di/dt, IEC 6074-9		3700		A
td(off)	Время задержки выключения	I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15В RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω		890		NS
t f	Время спада			220		NS
E OFF	Потеря энергии при выключении			220		МГ
td(on)	Время задержки включения			320		NS
t r	Время нарастания			190		NS
EON	Потеря энергии при включении			160		МГ
Q rr	Заряд обратного восстановления диода	I F = 800A VCE = 900В diF/dt =4000A/us		260		μC
I rr	Ток обратного восстановления диода			510		A
E rec	Энергия обратного восстановления диода			180		МГ
td(off)	Время задержки выключения	I C =800A VCE =900V L ~ 100nH V GE = ±15В RG(ON) = 2.2Ω RG(OFF)= 2.2Ω		980		NS
t f	Время спада			280		NS
E OFF	Потеря энергии при выключении			290		МГ
td(on)	Время задержки включения			400		NS
t r	Время нарастания			250		NS
EON	Потеря энергии при включении			230		МГ
Q rr	Заряд обратного восстановления диода	I F = 800A VCE = 900В diF/dt =4000A/us		420		μC
I rr	Ток обратного восстановления диода			580		A
E rec	Энергия обратного восстановления диода			280		МГ