Модуль IGBT 3300V

(Символ)

(Параметр)

(Условия испытаний)

(значение)

(Единица)

VCES

Напряжение коллектор-эмиттер

V GE = 0V,Tvj = 25°C

3300

v

V GES

  Напряжение затвора-эмиттера

± 20

v

I C

Ток коллектор-эмиттер

T case = 100 °C, Tvj = 150 °C

500

A

I C(PK)

Пиковый коллекторный ток

1ms,  T case = 140 °C

1000

A

P max

Максимальная мощность рассеяния транзистора

Tvj = 150°C, T case = 25 °C

5.2

КВ

I 2t

Диод I t

VR =0V, t P  = 10ms, Tvj = 150 °C

80

kA2s

Visol

Напряжение изоляции – на модуль

 Общие выводы к основанию),

AC RMS,1 мин, 50Hz

6000

v

Q PD

Частичное разряд – на модуль

IEC1287. V 1 = 3500V, V2 = 2600V, 50Hz RMS, TC = 25 °C

10

pc

tКейс ческие характеристикиc  t Кейс  = 25 °c если только = 25° В противном случае

(Символ)

(Параметр)

(Условия испытаний)

(минуты)

(тип)

(Максимальное)

(единица)

Я CES

Ток отсечения коллектора

v GE указано vCE  = vCES

1

Мамочка

v GE указано vCE  = vCES - Да. t Кейс = 0V,

30

Мамочка

v GE указано vCE  =vCES - Да. t Кейс =150 °C

50

Мамочка

Я ГЭС

=125 °C текущий

v GE Утечка затвора vCE  = ±20V,

1

μA

v GE = 0V

Напряжение порога затвора

Я c (TH)Мамочка- Да. v GE =vCE

5.50

6.10

7.00

v

vCE (сидел)= 40

Насыщение коллектор-эмиттер напряжение

v GE =15В,Я С  = 500а

2.40

2.90

v

v GE =15В,Я c  (*1)tvj = 125 °c

2.95

3.40

v

v GE =15В,Я c  (*1)tvj = 150 °c

3.10

3.60

v

Я f

Диодный прямой ток

dc

500

A

Я ФРМ

= 500A, текущий

t p = 1мс

1000

A

vf= 40

Прямое напряжение диода

Я f = 500а

2.10

2.60

v

Я f (*1) tvj  = 125 °c

2.25

2.70

v

Я f (*1) tvj  = 150 °C

2.25

2.70

v

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE Максимальный прямой диод v GE  указаноf = 1МГЗ

90

НФ

qg

Сбор за вход

± 15 В

9

μC

cре

= 25V,Обратная передача ёмкости

vCE Максимальный прямой диод v GE  указаноf = 1МГЗ

2

НФ

Я... m

модуль индуктивность

25

НН

r Инт

Сопротивление внутреннего транзистора

310

μΩ

Я sc

короткое замыкание Текущий Яsc

tvj = 150°C, v Ск. = 2500V, v GE ≤15V,tp ≤10μs,

vCE(Максимальное) = vCES –Я... (*2) ×- Да./dt- Да. IEC 6074-9

1800

A

td(off)

Время задержки выключения

I C =500A    VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150нГ

V GE = ±15V    RG(ON) = 3.0Ω  RG(OFF)= 4.5Ω

1720

NS

t f

Время спада

520

NS

E OFF

Потеря энергии при выключении

780

МГ

td(on)

Время задержки включения

650

NS

tr

Время нарастания

260

NS

EON

Потеря энергии при включении

730

МГ

Qrr

Заряд обратного восстановления диода

I F =500A

VCE =1800В

diF\/dt =2100A\/us

390

μC

I rr

Ток обратного восстановления диода

420

A

Erec

Энергия обратного восстановления диода

480

МГ

(Символ)

 (Параметр)

(Условия испытаний)

 (Мин)

(тип)

 (Макс)

(Единица)

td(off)

Время задержки выключения

I C =500A    VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH   V GE = ±15V  RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1860

NS

t f

Время спада

550

NS

E OFF

Потеря энергии при выключении

900

МГ

td(on)

Время задержки включения

630

NS

tr

Увеличивается времяВремя нарастания

280

NS

EON

Потеря энергии при включении

880

МГ

Qrr

Заряд обратного восстановления диода

I F =500A

VCE =1800В

diF\/dt =2100A\/us

620

μC

I rr

Ток обратного восстановления диода

460

A

Erec

Энергия обратного восстановления диода

760

МГ

(Символ)

  (Параметр)

(Условия испытаний)

 (Мин)

 (Тип)

 (Макс)

(Единица)

td(off)

Время задержки выключения

I C =500A    VCE =1800V Cge = 100nF

L ~ 150nH   V GE = ±15V  RG(ON) = 3.0Ω RG(OFF)= 4.5Ω

1920

NS

t f

 Время спада

560

NS

E OFF

Потеря энергии при выключении

1020

МГ

td(on)

Время задержки включения

620

NS

tr

 Время нарастания

280

NS

EON

Потеря энергии при включении

930

МГ

Qrr

Заряд обратного восстановления диода

I F =500A

VCE =1800В

diF\/dt =2100A\/us

720

μC

I rr

Ток обратного восстановления диода

490

A

Erec

Энергия обратного восстановления диода

900

МГ