Модуль IGBT 1700В

Символ

Параметр

Условия испытаний

стоимость

Объединение

VCES

Напряжение коллектор-эмиттер

VGE = 0V, TC= 25 °C

1700

v

VGES

Напряжение затвор-эмиттер

TC= 25 °C

± 20

v

- Да.

Ток коллектор-эмиттер

TC = 65 °C

1400

A

IC(PK)

集电极峰值电流 (сводный электрический ток)

Пиковый коллекторный ток

tP=1ms

2800

A

Pmax

Максимальная мощность рассеяния транзистора

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

6.25

КВ

I2t

Диод I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

145

kA2s

Visol

Напряжение изоляции - на модуль

Общие терминалы к базовой пластине), RMS переменного тока,1 мин, 50 Гц, TC= 25 °C

4000

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

Объединение

ICES

Ток отсечения коллектора

VGE = 0V,VCE  = VCES

1

Мамочка

VGE = 0V, VCE  = VCES, TC=125 °C

20

Мамочка

VGE = 0V, VCE  = VCES, TC=150 °C

30

Мамочка

IGES

Ток утечки затвора

VGE = ±20V, VCE  = 0V

0.5

μA

VGE (TH)

Напряжение порога затвора

IC = 30mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

v

VCE (sat)(*1)

Насыщение коллектор-эмиттер напряжение

ВЭГ = 15В, ИК = 1400А

2.00

2.40

v

ВЭГ = 15В, ИС = 1400А, Tvj = 125 °C

2.45

2.70

v

ВЭГ = 15В, IC = 1400А, Tvj = 150 °C

2.55

2.80

v

если

Диодный прямой ток

dc

1400

A

IFRM

Пиковое течение диоды вперед

tP = 1ms

2800

A

VF(*1)

Прямое напряжение диода

Если = 1400A, VGE = 0

1.80

2.20

v

Если = 1400A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

1.95

2.30

v

Если = 1400A, VGE = 0, Tvj = 150 °C

2.00

2.40

v

Иск

Короткое замыкание

Tvj = 150°C, VCC = 1000V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

5400

A

- Да, конечно.

Входной пропускной способностью

ВЭС = 25В, ВГЭ = 0В, f = 100 кГц

113

НФ

Главный офис

Сбор за вход

± 15 В

11.7

μC

Крес

Капацитет обратной передачи

ВЭС = 25В, ВГЭ = 0В, f = 100 кГц

3.1

НФ

Я

Индуктивность модуля

10

НН

РИНТ

Сопротивление внутреннего транзистора

0.2

mΩ

td(off)

Время задержки выключения

IC = 1400A,

VCE = 900В,

VGE = ±15V, RG ((OFF) = 1,8Ω, LS = 20nH,

dv/dt =3000V/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

1520

NS

Tvj= 125 °C

1580

Tvj= 150 °C

1600

Тф

Снижение времениВремя спада

Tvj= 25 °C

460

NS

Tvj= 125 °C

610

Tvj= 150 °C

650

EOFF

Потеря энергии при выключении

Tvj= 25 °C

460

МГ

Tvj= 125 °C

540

Tvj= 150 °C

560

td(on)

Время задержки включения

IC = 1400A,

VCE = 900В,

VGE = ±15V, RG ((ON) = 1,2Ω, LS = 20nH,

di/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

400

NS

Tvj= 125 °C

370

Tvj= 150 °C

360

tr

Время нарастания

Tvj= 25 °C

112

NS

Tvj= 125 °C

120

Tvj= 150 °C

128

EON

Потеря энергии при включении

Tvj= 25 °C

480

МГ

Tvj= 125 °C

580

Tvj= 150 °C

630

Qrr

Диод обратный

Заряд восстановления

Если = 1400A, VCE = 900V,

- diF/dt = 10000A/us (Tvj= 150 °C).

Tvj= 25 °C

315

μC

Tvj= 125 °C

440

Tvj= 150 °C

495

Irr

Диод обратный

Ток восстановления

Tvj= 25 °C

790

A

Tvj= 125 °C

840

Tvj= 150 °C

870

Erec

Диод обратный

Энергия восстановления

Tvj= 25 °C

190

МГ

Tvj= 125 °C

270

Tvj= 150 °C

290