Модуль IGBT 6500В

VCES

6500 V

VCE(sat) Тип.

3.0 V

IC Макс.

750 A

IC(RM) Макс.

1500 A

Символ

Параметр

Условия испытаний

стоимость

единица

v_CES

Напряжение коллектор-эмиттер

VGE = 0V, TC= 25 °C

6500

v

v_ГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

TC= 25 °C

± 20

v

Я_c

Ток коллектор-эмиттер

TC = 80 °C

750

A

Я_C(PK)

Пиковый коллекторный ток

tP=1ms

1500

A

p_{Максимальное}

Максимальная мощность рассеяния транзистора

Tvj = 150°C, TC = 25 °C

11.7

КВ

Я²t

Диод I2t

VR =0V, tP = 10ms, Tvj = 150 °C

460

kA2s

v_{Изолированный}

Напряжение изоляции - на модуль

( Общие клеммы к основанию), AC RMS, 1 мин, 50Hz, TC= 25 °C

10.2

Кв

q_ПД

Частичное разряд - на модуль

IEC1287. V1=6900V,V2=5100V,50Hz RMS

10

pc

Rth(J-C) IGBT

Тепловое сопротивление - IGBT

8.5

K / kW

Rth(J-C) Диод

Тепловое сопротивление - Диод

19.0

K / kW

Rth(C-H) IGBT

Тепловое сопротивление -

корпуса к радиатору (IGBT)

Момент затяжки 5Nm,

с монтажной смазкой 1W/m·°C

9

K / kW

Rth(C-H) Диод

Тепловое сопротивление -

корпуса к радиатору (Диод)

Момент затяжки 5Nm,

с монтажной смазкой 1W/m·°C

18

K / kW

Tvjop

Тепловая температура рабочего раздела

( IGBT )

-40

125

°c

( Диод )

-40

125

°c

ТСТГ

Температура хранения

диапазон температуры хранения

-40

125

°c

m

Момент затяжки

Монтаж – M6

5

nm

Электрические соединения – M4

2

nm

Электрические соединения – M8

10

nm

符号Символ

参数名称Параметр

条件

Условия испытаний

最小值минуты.

典型值Тип.

Максимальное значениеМакс.

单位единица

ICES

集电极截止电流 (объединение электрического потока)

Ток отсечения коллектора

VGE = 0V,VCE  = VCES

1

Мамочка

VGE = 0V, VCE  = VCES, TC=125 °C

90

Мамочка

IGES

极漏电流 (очень пропускной)

Ток утечки затвора

VGE = ±20V, VCE  = 0V

1

μA

VGE (TH)

Затвор-Напряжение порога эмиттераНапряжение порога затвора

IC = 120mA, VGE = VCE

5.00

6.00

7.00

v

VCE (sat)(*1)

集电极-Напряжение насыщения эмиттера

Насыщение коллектор-эмиттер

напряжение

VGE = 15V, IC = 750A

3.0

3.4

v

VGE = 15V, IC = 750A, Tvj = 125 °C

3.9

4.3

v

если

Прямой постоянный ток диодаДиодный прямой ток

dc

750

A

IFRM

Повторяющийся пик прямого тока диода Пиковый прямой ток диода

tP = 1ms

1500

A

VF(*1)

Прямое напряжение диода

Прямое напряжение диода

IF = 750A, VGE = 0

2.55

2.90

v

IF = 750A, VGE = 0, Tvj = 125 °C

2.90

3.30

v

Иск

Ток короткого замыкания

Короткое замыкание

Tvj = 125°C, VCC = 4500V, VGE ≤15V, tp ≤10μs,

VCE(max) = VCES – L(*2) ×di/dt, IEC 6074-9

2800

A

- Да, конечно.

Входной пропускной способностью

ВЭС = 25В, ВГЭ = 0В, f = 100 кГц

123

НФ

Главный офис

极电荷

Сбор за вход

± 15 В

9.4

μC

Крес

Вратная мощность передачи

Капацитет обратной передачи

ВЭС = 25В, ВГЭ = 0В, f = 100 кГц

2.6

НФ

Я

Индуктивность модуля

Индуктивность модуля

10

НН

РИНТ

Внутреннее сопротивление

Сопротивление внутреннего транзистора

90

mΩ

Тд_{(выключено)}

Задержка отключения

Время задержки выключения

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(OFF) = 6.8Ω, CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

3060

NS

Tvj= 125 °C

3090

t_f

Снижение времениВремя спада

Tvj= 25 °C

2390

NS

МГ

NS

NS

МГ

μC

Tvj= 125 °C

2980

e_{выключенный}

Потери при отключении

Потеря энергии при выключении

Tvj= 25 °C

3700

Tvj= 125 °C

4100

Тд_{(включено)}

开通延迟时间

Время задержки включения

IC =750A,

VCE = 3600V, VGE = ±15V, RG(ON) = 1.0Ω, CGE = 330nF, LS = 280nH,

Tvj= 25 °C

670

Tvj= 125 °C

660

tr

Увеличивается времяВремя нарастания

Tvj= 25 °C

330

Tvj= 125 °C

340

e_на

Потери при включении

Потеря энергии при включении

Tvj= 25 °C

4400

Tvj= 125 °C

6100

Qrr

Обратный восстанавливающий заряд диодаОбратный диод

Заряд восстановления

IF =750A,

VCE = 3600V,

- diF/dt = 3000A/us, (Tvj= 125 °C).

Tvj= 25 °C

1300

Tvj= 125 °C

1680

Irr

Обратный восстанавливающий ток диодаОбратный диод

Ток восстановления

Tvj= 25 °C

1310

A

МГ

Tvj= 125 °C

1460

Erec

Потери обратного восстановления диодаОбратный диод

Энергия восстановления

Tvj= 25 °C

2900

Tvj= 125 °C

4080