Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc=80oc

1350

900

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

1800

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=150oc

7.40

КВ

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

900

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

1800

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

150

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +125

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1 минуту

4000

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 800 А,ВGE=15В, tj=25oc

2.90

3.35

v

Яc= 800 А,ВGE=15В, tj=125oc

3.60

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 16,0 мА,ВCE=VGE, tj=25oc

5.0

6.1

7.0

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

53.1

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

3.40

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

8.56

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic=800A,  rg= 1.3Ω,

vGE=±15В,tj=25oc

90

NS

tr

Время нарастания

81

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

500

NS

tf

Время спада

55

NS

eна

Включить переход

потеря

36.8

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

41.3

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic=800A,  rg= 1.3Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

115

NS

tr

Время нарастания

92

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

550

NS

tf

Время спада

66

NS

eна

Включить переход

потеря

52.5

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

59.4

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=125oC,VСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

5200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 800 А,ВGE=0V,Tj=25oc

1.95

2.40

v

Яf= 800 А,ВGE=0V,Tj= 125oc

1.95

qr

Восстановленная зарядка

vСк.=900V,If=800A,

-di/dt=9500A/μs,VGE=±15В, tj=25oc

56

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

550

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

38.7

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.=900V,If=800A,

-di/dt=9500A/μs,VGE=±15В, tj= 125oc

148

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

920

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

91.8

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

12

НН

rCC+EE

Сопротивление вывода модуля, Вывод к чипу

0.19

mΩ

rθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на D)йода)

16.9

26.2

К/кВт

rθcs

Кассе-от-Упаковки (на IGBT)

Кассе-от-Упаковки (на диод)

19.7

30.6

К/кВт

rθcs

Сборка из коробки в раковину

6.0

К/кВт

m

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 терминальное соединениекрутящий момент, Винт М8 Крутящий момент установки, винт м6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

n.m.

g

вес из модуль

1500

g