IGBT Модуль，1200V 900A
Особенности
типичный Приложения
Абсолютное максимальный рейтинги tc=25oc если только В противном случае Замечание
ИГБТ
Символ | описание | ценности | единица |
vCES | Напряжение коллектор-эмиттер | 1200 | v |
vГЭС | Напряжение затвор-эмиттер | ± 20 | v |
Яc | Ток коллектора @ Tc=25oc @ Tc= 100oc | 1522 900 | A |
Ясм | Импульсный коллекторный ток tp=1 мс | 1800 | A |
pd | Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc | 5.24 | КВ |
Диод
Символ | описание | ценности | единица |
vRRM | Повторяющееся пиковое обратное напряжение | 1200 | v |
Яf | Диод непрерывно переднийарендная плата | 900 | A |
ЯФм | Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс | 1800 | A |
модуль
Символ | описание | стоимость | единица |
tjmax | Максимальная температура стыка | 175 | oc |
t- Я не знаю. | Тепловая температура рабочего раздела | -40 до +150 | oc |
tСТГ | температура хранениядиапазон | -40 до +125 | oc |
vИзо | Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты | 4000 | v |
ИГБТ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ | Параметр | Условия испытаний | минуты. | Тип. | Макс. | единица |
vCE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение | Яc=900A,VGE=15В, tj=25oc |
| 1.70 | 2.15 |
v |
Яc=900A,VGE=15В, tj=125oc |
| 1.95 |
| |||
Яc=900A,VGE=15В, tj=150oc |
| 2.00 |
| |||
vGE(В) | Предельный уровень выпускателя напряжение | Яc=22.5Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc | 5.2 | 6.0 | 6.8 | v |
ЯCES | Коллектор отрезать-выключенный текущий | vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25oc |
|
| 1.0 | Мамочка |
ЯГЭС | Утечка излучателя текущий | vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc |
|
| 400 | - Нет |
rГинт | Внутренний портал сопротивленияance |
|
| 0.63 |
| О |
cИ.е. | Входной пропускной способностью | vCE=25В, f=1МГц, vGE=0В |
| 93.2 |
| НФ |
cре | Обратная передача Пропускная способность |
| 2.61 |
| НФ | |
qg | Сбор за вход | vGE=-15 - Что?+15В |
| 6.99 |
| μC |
td(на) | Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=900A, rg=1.6Ω, vGE=±15В, tj=25oc |
| 214 |
| NS |
tr | Время нарастания |
| 150 |
| NS | |
td(выключенный) | Выключение время задержки |
| 721 |
| NS | |
tf | Время спада |
| 206 |
| NS | |
eна | Включить переход потеря |
| 76 |
| МГ | |
eвыключенный | Выключатель потеря |
| 128 |
| МГ | |
td(на) | Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=900A, rg=1.6Ω, vGE=±15В, tj=125oc |
| 235 |
| NS |
tr | Время нарастания |
| 161 |
| NS | |
td(выключенный) | Выключение время задержки |
| 824 |
| NS | |
tf | Время спада |
| 412 |
| NS | |
eна | Включить переход потеря |
| 107 |
| МГ | |
eвыключенный | Выключатель потеря |
| 165 |
| МГ | |
td(на) | Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=900A, rg=1.6Ω, vGE=±15В, tj=150oc |
| 235 |
| NS |
tr | Время нарастания |
| 161 |
| NS | |
td(выключенный) | Выключение время задержки |
| 876 |
| NS | |
tf | Время спада |
| 464 |
| NS | |
eна | Включить переход потеря |
| 112 |
| МГ | |
eвыключенный | Выключатель потеря |
| 180 |
| МГ | |
Яsc |
Данные SC | tp≤ 10 мкс,ВGE=15В, tj=150oC,VСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В |
|
3600 |
|
A |
Диод характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ | Параметр | Условия испытаний | минуты. | Тип. | Макс. | единица |
vf | Диод вперед напряжение | Яf=900A,VGE=0V,Tj=25oc |
| 1.90 | 2.25 |
v |
Яf=900A,VGE=0V,Tj= 125oc |
| 1.85 |
| |||
Яf=900A,VGE=0V,Tj= 150oc |
| 1.80 |
| |||
qr | Восстановленная зарядка | vr= 600 В,If=900A, -di/dt=4800A/μs,VGE= 15 В tj=25oc |
| 86 |
| μC |
ЯRM | Пик обратный Ток восстановления |
| 475 |
| A | |
erec | Обратное восстановлениеэнергетики |
| 36.1 |
| МГ | |
qr | Восстановленная зарядка | vr= 600 В,If=900A, -di/dt=4800A/μs,VGE= 15 В tj= 125oc |
| 143 |
| μC |
ЯRM | Пик обратный Ток восстановления |
| 618 |
| A | |
erec | Обратное восстановлениеэнергетики |
| 71.3 |
| МГ | |
qr | Восстановленная зарядка | vr= 600 В,If=900A, -di/dt=4800A/μs,VGE= 15 В tj= 150oc |
| 185 |
| μC |
ЯRM | Пик обратный Ток восстановления |
| 665 |
| A | |
erec | Обратное восстановлениеэнергетики |
| 75.1 |
| МГ |
НТЦ характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ | Параметр | Условия испытаний | минуты. | Тип. | Макс. | единица |
r25 | Номинальное сопротивление |
|
| 5.0 |
| кΩ |
ΔR/R | Отклонение из r100 | tc= 100 oC,R100=493.3Ω | -5 |
| 5 | % |
p25 | Энергия рассеивание |
|
|
| 20.0 | МВ |
b25/50 | B-значение | r2=R25Эксп[B25/50(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3375 |
| K |
b25/80 | B-значение | r2=R25Эксп[B25/80(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3411 |
| K |
b25/100 | B-значение | r2=R25Эксп[B25/100(1/T2- 1/(298.15K))] |
| 3433 |
| K |
модуль характеристики tc=25oc если только В противном случае Замечание
Символ | Параметр | минуты. | Тип. | Макс. | единица |
Я...CE | Индуктивность отклоняющейся |
| 18 |
| НН |
rCC+EE | Сопротивление выводов модуля, терминал к чипу |
| 0.30 |
| mΩ |
rthJC | Соединение с делом (на IGB)T) Соединение с корпусом (на D)йода) |
|
| 28.6 51.9 | К/кВт |
rthCH | Корпус к радиатору (на IGBT) Корпус к радиатору (пер диод) Корпус к радиатору (намодуль) |
| 14.0 25.3 4.5 |
| К/кВт |
m | Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 терминальное соединениекрутящий момент, Винт М8 Крутящий момент установки, Винт M5 | 1.8 8.0 3.0 |
| 2.1 10 6.0 |
n.m. |
g | вес из модуль |
| 825 |
| g |
Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.
EN
