Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 30

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc= 100oc

1250

800

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp= 1мс

1600

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc

4166

w

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1200

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

800

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

1600

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

2500

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 800 А,ВGE= 15V,tj=25oc

1.70

2.15

v

Яc= 800 А,ВGE= 15V,tj=125oc

1.95

Яc= 800 А,ВGE= 15V,tj=150oc

2.00

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 32,0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc

5.0

5.7

6.5

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

0.13

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=30В, f=1МГц,

vGE=0В

79.2

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

2.40

НФ

qg

Сбор за вход

vGE= 15 В

4.80

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=800A,  rg= 1.0Ω,

vGE=±15В,tj=25oc

408

NS

tr

Время нарастания

119

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

573

NS

tf

Время спада

135

NS

eна

Включить переход

потеря

21.0

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

72.4

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=800A,  rg= 1.0Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

409

NS

tr

Время нарастания

120

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

632

NS

tf

Время спада

188

NS

eна

Включить переход

потеря

26.4

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

107

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=800A,  rg= 1.0Ω,

vGE=±15В, tj= 150oc

410

NS

tr

Время нарастания

123

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

638

NS

tf

Время спада

198

NS

eна

Включить переход

потеря

28.8

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

112

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE= 15V,

tj=150oC,VСк.= 900 В, vСМК≤ 1200 В

3200

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 800 А,ВGE=0V,Tj=25oc

1.80

2.25

v

Яf= 800 А,ВGE=0V,Tj= 125oc

1.85

Яf= 800 А,ВGE=0V,Tj= 150oc

1.85

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=800A,

- di/dt=6700A/μs,

vGE=- 15 Вtj=25oc

81.0

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

518

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

39.4

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=800A,

- di/dt=6700A/μs,

vGE=- 15 В tj= 125oc

136

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

646

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

65.2

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=800A,

-di/dt=6700A/μs,VGE=- 15 В tj= 150oc

155

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

684

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

76.6

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Сопротивление вывода модуля, Вывод к чипу

0.18

mΩ

rthJC

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.036

0.048

K/W

rthCH

Корпус к радиатору (на IGBT)

Корпус к радиатору (пер диод)

Корпус к радиатору (намодуль)

0.123

0.163

0.035

K/W

m

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 терминальное соединениекрутящий момент, винт м6 Крутящий момент установки, винт м6

1.1

2.5

3.0

2.0

5.0

5.0

n.m.

g

вес из модуль

300

g