Модуль IGBT 1700В

Символ

описание

стоимость

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1700

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=25oc

@ Tc=80oc

1050

800

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

1600

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj=175oc

4.85

КВ

Символ

описание

стоимость

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжение

1700

v

Яf

Диод непрерывно переднийарендная плата

800

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

1600

A

Символ

описание

стоимость

единица

tjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

t- Я не знаю.

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

температура хранениядиапазон

-40 до +125

oc

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1минуты

4000

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 800 А,ВGE=15В, tj=25oc

2.50

2.95

v

Яc= 800 А,ВGE=15В, tj=125oc

3.00

Яc= 800 А,ВGE=15В, tj=150oc

3.10

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc= 32,0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tj=25oc

5.4

7.4

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный

текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V,

tj=25oc

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tj=25oc

400

- Нет

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

54.0

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.84

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=- 15…+15В

6.2

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic=800A,  rg= 1,5Ω,

vGE=±15В,tj=25oc

235

NS

tr

Время нарастания

110

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

390

NS

tf

Время спада

145

NS

eна

Включить переход

потеря

216

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

152

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic=800A,  rg= 1,5Ω,

vGE=±15В, tj= 125oc

250

NS

tr

Время нарастания

120

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

475

NS

tf

Время спада

155

NS

eна

Включить переход

потеря

280

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

232

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.=900V,Ic=800A,  

rg= 1,5Ω,

vGE=±15В, tj= 150oc

254

NS

tr

Время нарастания

125

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

500

NS

tf

Время спада

160

NS

eна

Включить переход

потеря

312

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

256

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤ 10 мкс,ВGE=15В,

tj=150oC,VСк.= 1000V, vСМК≤1700V

2480

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vf

Диод вперед

напряжение

Яf= 800 А,ВGE=0V, Tj=25oc

1.80

2.25

v

Яf= 800 А,ВGE=0V, Tj= 125oc

1.95

Яf= 800 А,ВGE=0V, Tj= 150oc

1.90

qr

Восстановленная зарядка

vСк.=900V,If=800A,

-di/dt=8400A/μs,VGE=±15В, tj=25oc

232

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

720

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

134

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.=900V,If=800A,

-di/dt=8400A/μs,VGE=±15В, tj= 125oc

360

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

840

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

222

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vСк.=900V,If=800A,

-di/dt=8400A/μs,VGE=±15В, tj= 150oc

424

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

880

A

erec

Обратное восстановлениеэнергетики

259

МГ

Символ

Параметр

минуты.

Тип.

Макс.

единица

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

20

НН

rCC+EE

Сопротивление вывода модуля, Вывод к чипу

0.37

mΩ

rθД.К.

Соединение с делом (на IGB)T)

Соединение с корпусом (на D)йода)

30.9

49.0

К/кВт

rθcs

Кассе-от-Упаковки (на IGBT)

Кассе-от-Упаковки (на диод)

19.6

31.0

К/кВт

rθcs

Сборка из коробки в раковину

6.0

К/кВт

m

Крутящий момент соединения терминала, Винт М4 терминальное соединениекрутящий момент, Винт М8 Крутящий момент установки, винт м6

1.8

8.0

4.25

2.1

10

5.75

n.m.

g

вес из модуль

1500

g