IGBT Модуль，1200V 800A
Особенности
типичный Приложения
Абсолютные максимальные рейтингиtc=25°C если нетТед
Символ | описание | GD800HFL120C3S | единицы |
vCES | Напряжение коллектор-эмиттер | 1200 | v |
vГЭС | Напряжение затвор-эмиттер | ±20 | v |
Яc | @ Tc=25°C @ Tc=80°C | 1250 | A |
800 | |||
ЯCM(1) | Импульсный коллекторный ток tp= 1мс | 1600 | A |
Яf | Диод непрерывного прямого тока | 800 | A |
ЯФм | Максимальный проходный ток диоды | 1600 | A |
pd | Максимальная мощностьtj=150°C | 4310 | w |
tsc | Короткое замыкание, время выдержки @ Tj=125°C | 10 | μs |
tj | Тепловая температура рабочего раздела | -40 до +150 | °C |
tСТГ | диапазон температуры хранения | -40 до +125 | °C |
Я2t-значение, диод | vr=0V, t=10ms, Tj=125°C | 140 | ка2С |
vИзо | Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min | 2500 | v |
монтаж крутящий момент | Терминал питания Винт:M4 Терминал питания Винт:M8 | 1.7 до 2.3 8,0 до 10 | n.m. |
монтаж Винт: M6 | 4.25 до 5.75 | n.m. |
Электрические характеристики ИГБТtc=25°C если не указано иное
Не характеризуется
Символ | Параметр | Условия испытаний | минуты. | Тип. | Макс. | единицы |
bv CES | Сборщик-выпускник напряжение отключения | tj=25°C | 1200 |
|
| v |
ЯCES | Коллектор отрезать-выключенный текущий | vCE=VCESVGE=0V, tj=25°C |
|
| 5.0 | Мамочка |
ЯГЭС | Утечка излучателя текущий | vGE=VГЭСVCE=0V, tj=25°C |
|
| 400 | - Нет |
О характеристиках
Символ | Параметр | Условия испытаний | минуты. | Тип. | Макс. | единицы |
vГЭ ((th) | Предельный уровень выпускателя напряжение | Яc=32mA,VCE=VGE- Да. tj=25°C | 5.0 | 6.2 | 7.0 | v |
vCE (США) |
Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение | Яc= 800 А,ВGE=15В, tj=25°C |
| 1.8 |
|
v |
Яc= 800 А,ВGE=15В, tj=125°C |
| 2.0 |
|
Изменение характераИстики
Символ | Параметр | Условия испытаний | минуты. | Тип. | Макс. | единицы |
qGE | Сбор за вход | Яc= 800 А,ВCE=600 В, vGE=-15…+15V |
| 11.5 |
| μC |
td(on) | Время задержки включения | vСк.= 600 В,Ic=800A, rГон=3,3Ω, rГофф= 0,39Ω, vGE =±15V,Tj=25°C |
| 600 |
| NS |
tr | Время нарастания |
| 230 |
| NS | |
td(выключенный) | Выключение время задержки |
| 820 |
| NS | |
tf | Время спада |
| 150 |
| NS | |
td(on) | Время задержки включения |
vСк.= 600 В,Ic=800A, rГон=3,3Ω, rГофф= 0,39Ω, vGE =±15V,Tj=125°C |
| 660 |
| NS |
tr | Время нарастания |
| 220 |
| NS | |
td(выключенный) | Выключение время задержки |
| 960 |
| NS | |
tf | Время спада |
| 180 |
| NS | |
eна | Включить Потери при переключении |
| 160 |
| МГ | |
eвыключенный | Потеря переключения при выключении |
| 125 |
| МГ | |
cИ.е. | Входной пропускной способностью |
vCE=25В, f=1МГц, vGE=0В |
| 61.8 |
| НФ |
c- Да. | Выходной объем |
| 4.2 |
| НФ | |
cре | Обратная передача Пропускная способность |
| 2.7 |
| НФ | |
Яsc |
Данные SC | tСc≤10 мс,ВGE=15В,- Что?tj=125°C- Да. vСк.= 900 В, vСМК ≤1200 В |
|
3760 |
|
A |
Я...CE | Индуктивность отклоняющейся |
|
| 20 |
| НН |
rСк.+EE’ | Модуль свинцового сопротивленияc Терминал на чип | tc=25°C |
| 0.18 |
| mО |
электрические характеристики из Диод tc=25°C если только В противном случае Замечание
Символ | Параметр | Условия испытаний | минуты. | Тип. | Макс. | единицы | |
vf | Диод вперед напряжение | Яf=800A | tj=25°C |
| 2.4 |
| v |
tj=125°C |
| 2.2 |
| ||||
qr | Обратный диод Заряд восстановления |
Яf=800A, vr=600 В, di/dt=-3600A/μs, vGE= 15 В | tj=25°C |
| 37 |
| μC |
tj=125°C |
| 90 |
| ||||
ЯRM | Пиковый диод Обратное восстановление текущий | tj=25°C |
| 260 |
|
A | |
tj=125°C |
| 400 |
| ||||
erec | Обратное восстановление энергетики | tj=25°C |
| 9 |
| МГ | |
tj=125°C |
| 24 |
| ||||
Тепловые характеристики
Символ | Параметр | Тип. | Макс. | единицы |
rθJC | Соединение с корпусом (часть IGBT, на 1/2 модуль) |
| 0.029 | K/W |
rθJC | Соединение с корпусом (часть диода, на 1/2 модуль) |
| 0.052 | K/W |
rθCS | Сборка из коробки в раковину (Нанесена проводящая смазка, согласно Модуль) | 0.006 |
| K/W |
вес | Вес модуль | 1500 |
| g |
Наша профессиональная команда продаж ждет вашей консультации.
Вы можете следить за их списком продуктов и задавать любые вопросы, которые вас интересуют.
EN
