Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

ценности

единица

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

± 20

v

Яc

Ток коллектора  @ Tc=100oc

800

A

Ясм

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

1600

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tvj=175oc

4687

w

Символ

описание

ценности

единица

vRRM

Повторяющееся пиковое обратное напряжениевозраст

1200

v

Яf

Диод Непрерывный прямой токренты

900

A

ЯФм

Максимальный проходный ток диоды tp=1 мс

1800

A

ЯФСМ

Импульсный прямой ток  tp=10ms  @ Tvj=125oc @ Tvj=175oc

2392

2448

A

Я2t

Я2t-стоимость- Да.tp= 10мс@tvj=125oc@ Tvj=175oc

28608

29964

A2С

Символ

описание

стоимость

единица

tvjmax

Максимальная температура стыка

175

oc

tvjop

Тепловая температура рабочего раздела

-40 до +150

oc

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

oc

vИзо

Напряжение изоляции  RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

vCE (США)

Сборщик - эмитент Насыщенное напряжение

Яc= 800 А,ВGE=15В, tvj=25oc

1.40

1.85

v

Яc= 800 А,ВGE=15В, tvj=125oc

1.60

Яc= 800 А,ВGE=15В, tvj=175oc

1.60

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя напряжение

Яc=24.0Мамочка- Да.vCE=vGE- Да. tvj=25oc

5.5

6.3

7.0

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенныйтекущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V, tvj=25oc

1.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V,tvj=25oc

400

- Нет

rГинт

Внутренний портал сопротивленияance

0.5

О

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25V,f=100kHz, vGE=0В

28.4

НФ

cре

Обратная передача Пропускная способность

0.15

НФ

qg

Сбор за вход

vGE=-15…+15V

2.05

μC

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=800A, rg=0.5Ω, LС=40nH, vGE=-8V/+15V,

tvj=25oc

168

NS

tr

Время нарастания

78

NS

td(off)

Выключение время задержки

428

NS

tf

Время спада

123

NS

eна

Включить переход потеря

43.4

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

77.0

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=800A, 

rg=0.5Ω, LС=40nH,

 vGE=-8V/+15V,

tvj=125oc

172

NS

tr

Время нарастания

84

NS

td(off)

Выключение время задержки

502

NS

tf

Время спада

206

NS

eна

Включить переход потеря

86.3

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

99.1

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=800A,

 rg=0.5Ω, LС=40nH, 

vGE=-8V/+15V,

tvj=175oc

174

NS

tr

Время нарастания

90

NS

td(off)

Выключение время задержки

531

NS

tf

Время спада

257

NS

eна

Включить переход потеря

99.8

МГ

eвыключенный

Выключатель потеря

105

МГ

Яsc

Данные SC

tp≤8μs,vGE=15В,

tvj=150oВ,

vСк.=800V, vСМК ≤1200 В

2600

A

tp≤6μs,vGE=15В,

tvj=175oВ,

vСк.=800V, vСМК ≤1200 В

2500

A

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед напряжение

Яf=900A,VGE=0V,Tvj=25oc

1.60

2.00

v

Яf=900A,VGE=0V,Tvj=125oc

1.60

Яf=900A,VGE=0V,Tvj=175oc

1.50

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=800A,

-di/dt=7778A/μs,VGE=-8V,Я...С=40НН- Да.tvj=25oc

47.7

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

400

A

erec

Обратное восстановление энергетики

13.6

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=800A,

-di/dt=7017A/μs,VGE=-8V,Я...С=40НН- Да.tvj=125oc

82.7

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

401

A

erec

Обратное восстановление энергетики

26.5

МГ

qr

Восстановленная зарядка

vr= 600 В,If=800A,

-di/dt=6380A/μs,VGE=-8V,Я...С=40НН- Да.tvj=175oc

110

μC

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

413

A

erec

Обратное восстановление энергетики

34.8

МГ

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единица

r25

Номинальное сопротивление

5.0

кΩ

∆R/R

Отклонение из r100

tc=100 oc,R100=493.3Ω

-5

5

%

p25

Энергия

рассеивание

20.0

МВ

b25/50

B-значение

r2=R25Эксп[B25/50(1/T2- 1/(298.15K))]

3375

K

b25/80

B-значение

r2=R25Эксп[B25/80(1/T2- 1/(298.15K))]

3411

K

b25/100

B-значение

r2=R25Эксп[B25/100(1/T2- 1/(298.15K))]

3433

K