Модуль IGBT 1200 В

Символ

описание

GD630HFL120C2S

единицы

vCES

Напряжение коллектор-эмиттер

1200

v

vГЭС

Напряжение затвор-эмиттер

±20

v

Яc

Ток коллектора @ Tc=25°C

@ Tc=80°C

945

A

630

Ясм(1)

Импульсный коллекторный ток tp=1 мс

1260

A

Яf

Диод непрерывного прямого тока

@ Tc=80°C

630

A

ЯФм

Диод максимально протяженныйарендная плата

1260

A

pd

Максимальное рассеивание мощности @ Tj= 150°C

4167

w

tjmax

Максимальная температура стыка

150

°C

tСТГ

диапазон температуры хранения

-40 до +125

°C

vИзо

Изоляционное напряжение RMS,f=50Hz,t=1min

2500

v

монтаж крутящий момент

Терминал питания Винт: M6

монтаж Винт: M6

2,5 до 5.0

3,0 до 5.0

n.m.

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

v(б)CES

Сборщик-выпускник

напряжение отключения

tj=25°C

1200

v

ЯCES

Коллектор отрезать-выключенный текущий

vCE=vCES- Да.vGE=0V, tj=25°C

5.0

Мамочка

ЯГЭС

Утечка излучателя

текущий

vGE=vГЭС- Да.vCE=0V, tj=25°C

400

- Нет

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vGE(В)

Предельный уровень выпускателя

напряжение

Яc= 16,0 мА,ВCE=VGE- Да.tj=25°C

5.0

6.2

7.0

v

vCE (США)

Сборщик - эмитент

Насыщенное напряжение

Яc= 630A,VGE=15В, tj=25°C

2.35

2.80

v

Яc= 630A,VGE=15В, tj= 125°C

2.73

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=630A,  rg= 2,5Ω,VGE=±15V, tj=25°C

210

NS

tr

Время нарастания

102

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

600

NS

tf

Время спада

80

NS

eна

Включить переход

потеря

75.2

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

37.8

МГ

td(на)

Время задержки включения

vСк.= 600 В,Ic=630A,  rg= 2,5Ω,VGE=±15V, tj= 125°C

230

NS

tr

Время нарастания

103

NS

td(выключенный)

Выключение время задержки

705

NS

tf

Время спада

103

NS

eна

Включить переход

потеря

102.9

МГ

eвыключенный

Выключатель

потеря

63.0

МГ

cИ.е.

Входной пропускной способностью

vCE=25В, f=1МГц,

vGE=0В

29.7

НФ

c- Да.

Выходной объем

2.08

НФ

cре

Обратная передача

Пропускная способность

1.36

НФ

Яsc

Данные SC

tСc≤10 мс,ВGE=15В,  tj= 125°CVСк.=600 В, 

vСМК≤1200 В

1800

A

rГинт

Внутренний резис вороттанцевать

0.5

О

Я...CE

Индуктивность отклоняющейся

18

НН

rСк.+EE ’

Модуль свинцового сопротивленияc Терминал на чип

tc=25°C

0.32

mО

Символ

Параметр

Условия испытаний

минуты.

Тип.

Макс.

единицы

vf

Диод вперед

напряжение

Яf=630A

tj=25°C

2.00

2.40

v

tj= 125°C

2.20

qr

Восстановленная зарядка

Яf=630A,

vr=600 В,

rg= 2,5Ω,

vGE=- 15 В

tj=25°C

80

μC

tj= 125°C

130

ЯRM

Пик обратный

Ток восстановления

tj=25°C

336

A

tj= 125°C

433

erec

Обратное восстановление энергетики

tj=25°C

24.4

МГ

tj= 125°C

49.6

Символ

Параметр

Тип.

Макс.

единицы

rθД.К.

Соединение с делом (на IG)БТ)

0.030

K/W

rθД.К.

Соединение с корпусом (на D)йода)

0.048

K/W

rθcs

Складка-на-мыло (проводимая жирная мазь(примечание)

0.035

K/W

вес

вес из модуль

340

g